[实用新型]等离子体处理装置

说明书

本实用新型的实施例中的等离子体处理装置包含：收容被处理基板的处理室、与被收容在所述处理室内的所述被处理基板相对地配置的天线结构体及在所述天线结构体和所述处理室之间配置的窗，所述天线结构体包含由天线导线在与所述窗的上面相对的两个不同的虚拟平面之间以螺旋状形成的天线部，所述天线部形成为，其所述两个不同的虚拟平面之间的距离为在所述两个不同的虚拟平面中与所述窗邻近的平面和所述窗的下面之间的距离的两倍以上。

技术领域

本实用新型涉及一种等离子体处理装置，特别是生成等离子体并对显示面板等的基板实施处理时所使用的等离子体处理装置。

背景技术

在使用等离子体对基板实施CVD、蚀刻等处理的装置中，比较多地使用对包含天线的装置施加高频电力，从而在天线周围形成感应电场并产生等离子体的方式。

另一方面，随着被处理的基板的大型化，处理装置也逐渐大型化，为了对大型化的基板实施均匀的处理，使用具有多个天线的基板处理装置渐渐变得普遍。

当具有多个天线的情况下，通常使用将螺旋状的天线二维地配置的结构，此时，在邻接的天线之间存在电流呈相反方向流动的区域，因此，在该区域的感应电场相互抵消，从而形成几乎不生成等离子体或生成低密度等离子体的区域。

现有技术文献

韩国专利公开号第10-2016-0012741号

实用新型内容

技术问题

本实用新型的目的在于，提供一种能够生成更加均匀的等离子体的等离子体处理装置。

本实用新型的目的不限于上述提及的目的，本领域普通技术人员可通过下面的记载明确地理解没有提及的其他目的。

技术方案

为解决上述技术问题，本实用新型的实施例中的等离子体处理装置包含：收容被处理基板的处理室、与被收容在所述处理室内的所述被处理基板相对地配置的天线结构体及在所述天线结构体和所述处理室之间配置的窗，所述天线结构体包含由天线导线在与所述窗的上面相对的两个不同的虚拟平面之间以螺旋状形成的天线部，所述天线部形成为，其所述两个不同的虚拟平面之间的距离为在所述两个不同的虚拟平面中与所述窗邻近的平面和所述窗的下面之间的距离的两倍以上。

所述天线部包含与第一方向平行配置的第一天线部和与第二方向平行配置的第二天线部，所述第一天线部的第一方向长度可以比所述第二天线部的第二方向长度短。

所述第一天线部的第一方向长度与所述第二天线部的第二方向长度之比可以在1：1.2至1：1.8之间。

所述第一天线部的所述两个不同的虚拟平面之间的距离可以比所述第二天线部的所述两个不同的虚拟平面之间的距离长。

所述第一天线部的天线导线的匝数可以比所述第二天线部的天线导线的匝数多。

所述第一天线部的所述两个不同的虚拟平面之间的距离可以与所述第二天线部的所述两个不同的虚拟平面之间的距离相等。

所述第一天线部的天线导线被展开成一条直线后的整体长度可以与所述第二天线部的天线导线被展开成一条直线后的整体长度相等。

所述第一天线部可以以形成虚拟的矩形的短边的方式配置，所述第二天线部可以以形成所述虚拟的矩形的长边的方式配置。

所述天线部还可以包含配置在所述虚拟的矩形的角部的第三天线部。

所述第三天线部，其位于在所述两个不同的虚拟平面中与所述窗邻近的平面上的天线导线中的一部分可以与所述第一方向平行，另一部分可以与所述第二方向平行。

本实用新型的其他具体事项包含在详细描述及附图中。

有益效果