[实用新型]一种具有绝缘保护结构的高亮倒装LED芯片有效
申请号: | 201721510080.0 | 申请日: | 2017-11-13 |
公开(公告)号: | CN207517723U | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 范凯平;徐亮 | 申请(专利权)人: | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/46 | 分类号: | H01L33/46;H01L33/20 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫 |
地址: | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种具有绝缘保护结构的高亮倒装LED芯片,包括提供发光结构,对所述发光结构进行刻蚀,在发光结构表面沉积一层绝缘层,对所述绝缘层进行刻蚀,形成第一孔洞和第二孔洞,在所述绝缘层表面、第一孔洞内和第二孔洞内依次形成透明导电层、Ag镜反射层、Ag镜保护层和DBR反射层。通过在所述第一半导体层、有源层和第二半导体层在表面或侧边形成所述绝缘层,使所述绝缘层覆盖在发光结构的裸露部分,从而防止Ag在第一半导体层和第二半导体层形成的电场作用下迁移到有源层的裸露部分,提高芯片的IR良率。进一步地,覆盖在所述绝缘层上的Ag镜反射层,可将发光结构侧边发出的光有效地反射出去,从而提高芯片出光效率。 | ||
搜索关键词: | 发光结构 绝缘层 孔洞 半导体层 倒装LED芯片 绝缘保护 反射层 侧边 高亮 刻蚀 源层 裸露 芯片 本实用新型 绝缘层表面 绝缘层覆盖 透明导电层 表面沉积 出光效率 电场作用 保护层 有效地 良率 反射 迁移 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种具有绝缘保护结构的高亮倒装LED芯片,包括;衬底;设于所述衬底表面的发光结构,所述发光结构包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层,贯穿所述第二半导体层和有源层并延伸至所述第一半导体层的中心区域和边缘区域;设于所述第一半导体层表面、边缘区域侧边和中心区域侧边的绝缘层;依次设于所述第二半导体层和绝缘层表面的透明导电层、Ag镜反射层、Ag镜保护层和DBR反射层;第一电极和第二电极,所述第一电极设置在所述中心区域,所述第二电极贯穿所述DBR反射层,并设置在所述Ag镜保护层上。
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