[实用新型]一种具有绝缘保护结构的高亮倒装LED芯片有效
| 申请号： | 201721510080.0 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN207517723U | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 范凯平;徐亮 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/20 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光结构 绝缘层 孔洞 半导体层 倒装LED芯片 绝缘保护 反射层 侧边 高亮 刻蚀 源层 裸露 芯片 本实用新型 绝缘层表面 绝缘层覆盖 透明导电层 表面沉积 出光效率 电场作用 保护层 有效地 良率 反射 迁移 覆盖 | ||
1.一种具有绝缘保护结构的高亮倒装LED芯片，包括；
衬底；
设于所述衬底表面的发光结构，所述发光结构包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层，贯穿所述第二半导体层和有源层并延伸至所述第一半导体层的中心区域和边缘区域；
设于所述第一半导体层表面、边缘区域侧边和中心区域侧边的绝缘层；
依次设于所述第二半导体层和绝缘层表面的透明导电层、Ag镜反射层、Ag镜保护层和DBR反射层；
第一电极和第二电极，所述第一电极设置在所述中心区域，所述第二电极贯穿所述DBR反射层，并设置在所述Ag镜保护层上。
2.根据权利要求1所述的具有绝缘保护结构的高亮倒装LED芯片，其特征在于，所述边缘区域的形状为倒梯形。
3.根据权利要求2所述的具有绝缘保护结构的高亮倒装LED芯片，其特征在于，所述第一电极的形状为倒梯形。
4.根据权利要求1所述的具有绝缘保护结构的高亮倒装LED芯片，其特征在于，所述透明导电层在所述绝缘层上的表面积小于所述绝缘层的表面积。
5.根据权利要求4所述的具有绝缘保护结构的高亮倒装LED芯片，其特征在于，所述Ag镜反射层在所述绝缘层上的表面积大于所述透明导电层的表面积，且小于所述绝缘层的表面积。
6.根据权利要求5所述的具有绝缘保护结构的高亮倒装LED芯片，其特征在于，所述Ag镜保护层的表面积大于所述Ag镜反射层的表面积，并将所述Ag镜反射层覆盖。
7.根据权利要求6所述的具有绝缘保护结构的高亮倒装LED芯片，其特征在于，所述DBR反射层的表面积大于所述Ag镜保护层的表面积，并将所述Ag镜保护层完全覆盖。
8.根据权利要求1所述的具有绝缘保护结构的高亮倒装LED芯片，其特征在于，所述透明导电层的材质为铟锡氧化物。
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