[实用新型]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201721429658.X 申请日: 2017-10-31
公开(公告)号: CN207353236U 公开(公告)日: 2018-05-11
发明(设计)人: 中岛静城 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01L23/49 分类号: H01L23/49;H01L25/065;H01L21/60
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李逸雪
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 实用新型提供一种半导体装置,实现半导体装置的制造成本的降低。半导体装置具备:第一半导体芯片,具有第一电极焊盘;比所述第一半导体芯片厚的第二半导体芯片,具有尺寸比所述第一电极焊盘大的第二电极焊盘;球,与所述第二电极焊盘接合;以及接合引线,具有与所述第一电极焊盘接合的第一次接合部和与所述球接合的第二次接合部。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,具备:第一半导体芯片,具有第一电极焊盘;比所述第一半导体芯片厚的第二半导体芯片,具有尺寸比所述第一电极焊盘大的第二电极焊盘;球,与所述第二电极焊盘接合;以及接合引线,具有与所述第一电极焊盘接合的第一次接合部和与所述球接合的第二次接合部。
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