[实用新型]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201721429658.X 申请日: 2017-10-31
公开(公告)号: CN207353236U 公开(公告)日: 2018-05-11
发明(设计)人: 中岛静城 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01L23/49 分类号: H01L23/49;H01L25/065;H01L21/60
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李逸雪
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,具备:

第一半导体芯片,具有第一电极焊盘;

比所述第一半导体芯片厚的第二半导体芯片,具有尺寸比所述第一电极焊盘大的第二电极焊盘;

球,与所述第二电极焊盘接合;以及

接合引线,具有与所述第一电极焊盘接合的第一次接合部和与所述球接合的第二次接合部。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

所述接合引线包含:

第一部分,连接比所述球的位置高的第一位置和所述第一电极焊盘;以及

第二部分,连接所述第一位置和所述第二电极焊盘,

所述第一部分以及所述第二部分作为整体弯曲为三角形状。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

所述接合引线包含:

第一部分,连接比所述球的位置高的第一位置和所述第一电极焊盘;

第二部分,连接所述第一位置和第二位置,其中,所述第二位置具有与所述第一位置的高度大致相同的高度,且所述第二位置与所述第二电极焊盘之间的距离比所述第二位置与所述第一电极焊盘之间的距离短;以及

第三部分,连接所述第二位置和所述第二电极焊盘,

所述第一部分、所述第二部分以及所述第三部分作为整体弯曲为大致梯形状。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置,其中,

所述第一半导体芯片包含化合物半导体基板,

所述第二半导体芯片包含硅半导体基板。

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