[实用新型]一种选择区域外延的图形化掩膜制备及二次生长界面优化结构有效
| 申请号： | 201721413432.0 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN207753014U | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 刘扬;黄燕芬 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈伟斌 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体外延工艺的技术领域，更具体地，涉及一种选择区域外延的图形化掩膜制备及二次生长界面优化结构。一种选择区域外延的图形化掩膜制备及二次生长界面优化结构，其中，包括GaN基基板、在GaN基基板上沉积一层掩膜层、在掩膜层上部分覆盖一层的正性光刻胶，所述的GaN基基板上沉积AlGaN/GaN异质结构层，还包括AlGaN/GaN异质结构层上生长一层绝缘的栅介质层，在AlGaN/GaN异质结构层上的源极和漏极。本实用新型能有效去除掩膜残留元素或环境中其它杂质对GaN基材料产生的背景掺杂，抑制二次外延界面的漏电通道并改善接入区的材料质量，提升GaN功率器件的耐压水平。 | ||
| 搜索关键词： | 选择区域外延 图形化掩膜 二次生长 界面优化 异质结构 基板 制备 本实用新型 掩膜层 沉积 半导体外延 正性光刻胶 漏电通道 耐压水平 栅介质层 层绝缘 漏极 去除 掩膜 源极 掺杂 残留 生长 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种选择区域外延的图形化掩膜制备及二次生长界面优化结构，其特征在于，包括GaN基基板、在GaN基基板上沉积一层掩膜层、在掩膜层上部分覆盖一层的正性光刻胶，所述的GaN基基板上沉积AlGaN/GaN异质结构层，还包括AlGaN/GaN异质结构层上生长一层绝缘的栅介质层，在AlGaN/GaN异质结构层上的源极和漏极。
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