[实用新型]一种选择区域外延的图形化掩膜制备及二次生长界面优化结构有效
| 申请号： | 201721413432.0 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN207753014U | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 刘扬;黄燕芬 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈伟斌 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 选择区域外延 图形化掩膜 二次生长 界面优化 异质结构 基板 制备 本实用新型 掩膜层 沉积 半导体外延 正性光刻胶 漏电通道 耐压水平 栅介质层 层绝缘 漏极 去除 掩膜 源极 掺杂 残留 生长 覆盖 | ||
【权利要求书】：
1.一种选择区域外延的图形化掩膜制备及二次生长界面优化结构，其特征在于，包括GaN基基板、在GaN基基板上沉积一层掩膜层、在掩膜层上部分覆盖一层的正性光刻胶，所述的GaN基基板上沉积AlGaN/GaN异质结构层，还包括AlGaN/GaN异质结构层上生长一层绝缘的栅介质层，在AlGaN/GaN异质结构层上的源极和漏极。
2.根据权利要求1所述的一种选择区域外延的图形化掩膜制备及二次生长界面优化结构，其特征在于：所述的GaN基基板的材料是单一成分的III-V族基板材料。
3.根据权利要求1所述的一种选择区域外延的图形化掩膜制备及二次生长界面优化结构，其特征在于：所述的掩膜层为SiO2、SiNx、Al2O3、HfO2、MgO、Sc2O3、AlHfOx、HfSiON中的任一种。
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