[实用新型]一种硅片烘干氧化装置有效
| 申请号： | 201721378276.9 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN207572340U | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 严健;杨健;晏文春;党继东 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种硅片烘干氧化装置，包括槽体、传输组件、臭氧喷淋组件及烘干喷淋组件，硅片能够沿所述槽体的底面移动；臭氧喷淋组件设置于所述槽体，用于向所述硅片喷淋臭氧，以氧化所述硅片，所述臭氧喷淋组件外设置有第一罩体；烘干喷淋组件设置于所述槽体内，用于向所述硅片喷淋热风，所述烘干喷淋组件外设置有第二罩体。该硅片烘干氧化装置中，臭氧喷淋组件和烘干喷淋组件位于同一槽体内，结构紧凑，减小了硅片烘干氧化装置的体积，降低成本；通过第一罩体和第二罩体将抽样喷淋组件和烘干喷淋组件隔开，避免二者相互影响，保证烘干及氧化效果。 | ||
| 搜索关键词： | 喷淋组件 烘干 硅片 臭氧 氧化装置 罩体 槽体 喷淋 体内 本实用新型 传输组件 氧化效果 热风 底面 隔开 减小 抽样 移动 保证 | ||
【主权项】：
1.一种硅片烘干氧化装置，其特征在于，包括：槽体(1)，硅片(5)能够沿所述槽体(1)的底面移动；臭氧喷淋组件(3)，设置于所述槽体(1)内，用于向所述硅片(5)喷淋臭氧，以氧化所述硅片(5)，所述臭氧喷淋组件(3)外设置有第一罩体(33)；及烘干喷淋组件(2)，设置于所述槽体(1)内，用于向所述硅片(5)喷淋热风，所述烘干喷淋组件(2)外设置有第二罩体(22)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司，未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721378276.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
