[实用新型]一种硅片烘干氧化装置有效
申请号: | 201721378276.9 | 申请日: | 2017-10-24 |
公开(公告)号: | CN207572340U | 公开(公告)日: | 2018-07-03 |
发明(设计)人: | 严健;杨健;晏文春;党继东 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷淋组件 烘干 硅片 臭氧 氧化装置 罩体 槽体 喷淋 体内 本实用新型 传输组件 氧化效果 热风 底面 隔开 减小 抽样 移动 保证 | ||
1.一种硅片烘干氧化装置,其特征在于,包括:
槽体(1),硅片(5)能够沿所述槽体(1)的底面移动;
臭氧喷淋组件(3),设置于所述槽体(1)内,用于向所述硅片(5)喷淋臭氧,以氧化所述硅片(5),所述臭氧喷淋组件(3)外设置有第一罩体(33);及
烘干喷淋组件(2),设置于所述槽体(1)内,用于向所述硅片(5)喷淋热风,所述烘干喷淋组件(2)外设置有第二罩体(22)。
2.如权利要求1所述的烘干氧化装置,其特征在于,所述臭氧喷淋组件(3)包括多根沿所述硅片(5)的移动方向排列的喷淋管(31),所述喷淋管(31)的底面开设有喷淋口,所述喷淋管(31)的长度与所述硅片(5)垂直于移动方向的边长相适配。
3.如权利要求2所述的烘干氧化装置,其特征在于,所述喷淋口凸设有喷淋嘴(32)。
4.如权利要求3所述的烘干氧化装置,其特征在于,所述喷淋嘴(32)的截面面积由上到下逐渐增大。
5.如权利要求1所述的烘干氧化装置,其特征在于,所述臭氧喷淋组件(3)分别与臭氧发生装置和氧气发生装置连通。
6.如权利要求1-5中任一项所述的烘干氧化装置,其特征在于,所述烘干喷淋组件(2)与所述臭氧喷淋组件(3)沿所述硅片(5)的移动方向依次排列。
7.如权利要求1-5中任一项所述的烘干氧化装置,其特征在于,所述烘干喷淋组件(2)包括喷淋箱,所述喷淋箱的底面为喷淋板(21),所述喷淋板(21)上设置有喷淋孔(211)。
8.如权利要求7所述的烘干氧化装置,其特征在于,所述喷淋箱的底面上设置有呈矩阵排列的多个所述喷淋孔(211)。
9.如权利要求1-5中任一项所述的烘干氧化装置,其特征在于,还包括传输组件,设置于所述槽体(1)内,用于支撑硅片(5)并带动硅片(5)移动;所述烘干喷淋组件(2)和所述臭氧喷淋组件(3)均位于所述传输组件的上方。
10.如权利要求9所述的烘干氧化装置,其特征在于,所述传输组件包括滚轮传送带(41)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造