[实用新型]一种离子束的调节装置及离子注入设备有效
| 申请号： | 201721307296.7 | 申请日： | 2017-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN207719136U | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 易重洲 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/14 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种离子束的调节装置及离子注入设备，应用于离子注入设备的分析磁场中，所述分析磁场包括一呈弧形的真空腔体以及设置于所述真空腔体上下两侧的一对磁体，其中：一对电极结构，分别相对设置于所述真空腔体的侧壁上；直流电源，与一对所述电极结构连接；每个所述电极结构包括：导电结构，设置于所述真空腔体中；导电芯，所述导电芯一端与所述导电结构连接，一端与所述直流电源连接。其技术方案的有益效果在于，可通过设置在真空腔体上的调节装置，可及时阻止不稳定的离子束注入硅衬底的表面，避免硅衬底的表面出现电荷分布不均的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 真空腔体 离子注入设备 电极结构 调节装置 离子束 导电芯 硅衬底 磁场 导电结构连接 直流电源连接 本实用新型 导电结构 电荷分布 上下两侧 相对设置 直流电源 侧壁 分析 应用 | ||
【主权项】：
1.一种离子束的调节装置，应用于离子注入设备的分析磁场中，所述分析磁场包括一呈弧形的真空腔体以及设置于所述真空腔体上下两侧的一对磁体，其特征在于：一对电极结构，分别相对设置于所述真空腔体的侧壁上；直流电源，与一对所述电极结构连接；每个所述电极结构包括：导电结构，设置于所述真空腔体中；导电芯，所述导电芯一端与所述导电结构连接，一端与所述直流电源连接。
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