[实用新型]一种离子束的调节装置及离子注入设备

说明书

本实用新型提供了一种离子束的调节装置及离子注入设备，应用于离子注入设备的分析磁场中，所述分析磁场包括一呈弧形的真空腔体以及设置于所述真空腔体上下两侧的一对磁体，其中：一对电极结构，分别相对设置于所述真空腔体的侧壁上；直流电源，与一对所述电极结构连接；每个所述电极结构包括：导电结构，设置于所述真空腔体中；导电芯，所述导电芯一端与所述导电结构连接，一端与所述直流电源连接。其技术方案的有益效果在于，可通过设置在真空腔体上的调节装置，可及时阻止不稳定的离子束注入硅衬底的表面，避免硅衬底的表面出现电荷分布不均的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体制备技术领域，尤其涉及一种离子束的调节装置及离子注入设备。

背景技术

离子注入技术是指把掺杂剂的原子引入固体中的一种材料改性方法，在半导体中，离子注入的作用主要是向硅衬底中注入一定数量和能量的杂质，以改变硅衬底中特定区域的电学性能，而硅衬底在进行离子注入过程中，离子束常常被各种因素干扰，进而出现离子束不稳定，而这种不稳定的离子束注入硅衬底表面时，会使硅衬底的表面出现电荷分布不均，导致硅衬底的电性能参数不稳定，尤其是在一些关键的工艺中，硅衬底最终的电性能参数存在的差异就尤为明显。

针对上述缺陷，现有技术中主要采用以下方式处理，离子注入设备在出现离子束不稳定时，会关闭起弧电压不再产生离子，但是对于已产生的不稳定的离子还是会继续传输，另一种是通过设置的电流检测装置对出现偏差的离子束进行阻挡，但是现有的电流检测装置都是气动控制的，因此响应并不及时，会造成部分的不稳定的离子束注入硅衬底的表面。

发明内容

针对现有技术中在离子注入设备进行离子注入存在的上述问题，现提供一种能够及时阻止不稳定的离子束注入硅衬底的表面，避免硅衬底的表面出现电荷分布不均的离子束的调节装置及离子注入设备。

具体技术方案如下：

一种离子束的调节装置，应用于离子注入设备的分析磁场中，所述分析磁场包括一呈弧形的真空腔体以及设置于所述真空腔体上下两侧的一对磁体，其中：

一对电极结构，分别相对设置于所述真空腔体的侧壁上；

直流电源，与一对所述电极结构连接；

每个所述电极结构包括：

导电结构，设置于所述真空腔体中；

导电芯，所述导电芯一端与所述导电结构连接，一端与所述直流电源连接。

优选的，所述导电结构包括：

绝缘底座，设置于所述真空腔体的内侧壁上；

导电块，于背向所述内侧壁的方向设置于所述绝缘底座上；

通孔，设置于所述真空腔体的侧壁上；

导电孔，贯穿设置于所述绝缘底座上并与所述通孔连通，所述导电孔于远离所述通孔的一端暴露所述导电块。

优选的，所述导电块与所述绝缘底座之间通过真空螺丝固定连接。

优选的，所述通孔的外部设置有一密封圈，所第一密封圈套设于所述导电芯上，所述密封圈固定设置于所述通孔的位置。

优选的，暴露在所述真空腔体外部的所述导电芯上设置有一绝缘环。

优选的，所述绝缘环由陶瓷材质制成。

优选的，所述绝缘底由陶瓷材质制成。

优选的，所述导电块由石墨材质制成。

优选的，所述直流电源的供电电压为5kv。

还包括一种离子注入设备，其中，包括上述的离子束的调节装置。