[实用新型]一种三维芯片封装结构有效
| 申请号： | 201721271536.2 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN207250493U | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/535;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种三维芯片封装结构，包括封装基板及电性连接于所述封装基板上方的三维芯片模块，其中，所述三维芯片模块包括穿孔硅中介层，所述穿孔硅中介层包括绝缘基板及多个上下贯穿所述绝缘基板的导电柱，所述导电柱与所述封装基板电性连接；至少一个裸片，所述裸片正面朝下装设于所述穿孔硅中介层上；塑封层，覆盖所述裸片及所述穿孔硅中介层。所述封装结构采用封装基板、穿孔硅中介层、裸片堆叠的封装形式，并采用塑封层实现裸片的保护，其中，裸片与穿孔硅中介层可通过导电凸块及重新布线层连接。该封装结构具有结构简单、更高I/O密度、更快传输效率的优点，且其制作过程中工艺复杂度较低，有利于降低生产成本并提高封装良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种三维芯片封装结构，包括封装基板及电性连接于所述封装基板上方的三维芯片模块，其特征在于，所述三维芯片模块包括：穿孔硅中介层，包括绝缘基板及多个上下贯穿所述绝缘基板的导电柱，所述导电柱与所述封装基板电性连接；至少一个裸片，所述裸片正面朝下装设于所述穿孔硅中介层上；塑封层，覆盖所述裸片及所述穿孔硅中介层。
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