[实用新型]一种三维芯片封装结构有效
| 申请号： | 201721271536.2 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN207250493U | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/535;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三维 芯片 封装 结构 | ||
1.一种三维芯片封装结构，包括封装基板及电性连接于所述封装基板上方的三维芯片模块，其特征在于，所述三维芯片模块包括：
穿孔硅中介层，包括绝缘基板及多个上下贯穿所述绝缘基板的导电柱，所述导电柱与所述封装基板电性连接；
至少一个裸片，所述裸片正面朝下装设于所述穿孔硅中介层上；
塑封层，覆盖所述裸片及所述穿孔硅中介层。
2.根据权利要求1所述的三维芯片封装结构，其特征在于：所述三维芯片模块与所述封装基板之间具有间隙，所述间隙中形成有保护层。
3.根据权利要求1所述的三维芯片封装结构，其特征在于：所述裸片与所述穿孔硅中介层之间形成有重新布线层，以使所述裸片通过所述重新布线层与所述穿孔硅中介层电性连接。
4.根据权利要求3所述的三维芯片封装结构，其特征在于：所述重新布线层包括至少一层图形化的介质层及至少一层图形化的金属布线层。
5.根据权利要求3所述的三维芯片封装结构，其特征在于：所述裸片的正面带有导电凸块，所述裸片通过所述导电凸块与所述重新布线层电性连接。
6.根据权利要求3所述的三维芯片封装结构，其特征在于：所述重新布线层上设置有凸块结构，以使所述裸片通过所述凸块结构与所述重新布线层电性连接。
7.根据权利要求6所述的三维芯片封装结构，其特征在于：所述凸块结构包括金属柱及连接于所述金属柱上方的焊料凸点。
8.根据权利要求6所述的三维芯片封装结构，其特征在于：所述凸块结构仅包括焊料凸点。
9.根据权利要求1所述的三维芯片封装结构，其特征在于：所述导电柱通过导电凸点与所述封装基板电性连接。
10.根据权利要求1所述的三维芯片封装结构，其特征在于：所述封装基板背面设有多个焊球。
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