[实用新型]一种集成TMBS结构的沟槽MOS器件

摘要

本实用新型属于半导体功率器件技术领域，具体涉及到一种集成TMBS结构的沟槽MOS器件，本实用新型在TMBS二极管位于两个沟槽MOSFET单胞器件之间，其有效且极大地降低开关损耗，抑制尖峰电压和尖峰电流，有效地节约硅表面面积，降低器件的成本，由于TMBS二极管结构的引入，能够极大的降低器件的漏电流，提高了器件在使用过程中的安全性能。

主权项

一种集成TMBS结构的沟槽MOS器件，其包括第一导电类型漏极区、位于所述第一导电类型漏极区上方的N+单晶硅衬底以及N‑外延层、位于所述N‑外延层上方的P型阱区层、位于所述P型阱区层上方的N+源极区层、位于所述N+源极区层上方的绝缘介质层、及位于所述绝缘介质层上方的金属区层，其特征在于，其还包括：沟槽，其贯穿所述P型阱区层并且延伸至所述N‑外延层的内部；栅氧化层，其包括栅氧化层侧面端和栅氧化层底面端，所述栅氧化层侧面端与所述沟槽的内侧面接触，所述栅氧化层底面端与所述沟槽的部分底面接触；多晶硅层，其与栅氧化层接触形成多晶硅层侧面端；接触金属层，其贯穿所述绝缘介质层并且延伸至所述N‑外延层，所述接触金属层与所述氧化层侧面端接触；接触孔，其设置在所述绝缘介质层上，所述接触孔贯穿所述绝缘介质层并且延伸至所述P型阱区层，所述接触孔内填充有金属，所述金属的顶端连接所述金属区层；其中，所述金属区层为MOS管源极金属电极，即TMBS二极管的阳极金属电极，所述第一导电类型漏极区为MOS管漏极金属电极，即TMBS二极管的阴极金属电极。