[实用新型]一种集成TMBS结构的沟槽MOS器件

权利要求书

1.一种集成TMBS结构的沟槽MOS器件，其包括第一导电类型漏极区、位于所述第一导电类型漏极区上方的N+单晶硅衬底以及N-外延层、位于所述N-外延层上方的P型阱区层、位于所述P型阱区层上方的N+源极区层、位于所述N+源极区层上方的绝缘介质层、及位于所述绝缘介质层上方的金属区层，其特征在于，其还包括：

沟槽，其贯穿所述P型阱区层并且延伸至所述N-外延层的内部；

栅氧化层，其包括栅氧化层侧面端和栅氧化层底面端，所述栅氧化层侧面端与所述沟槽的内侧面接触，所述栅氧化层底面端与所述沟槽的部分底面接触；

多晶硅层，其与栅氧化层接触形成多晶硅层侧面端；

接触金属层，其贯穿所述绝缘介质层并且延伸至所述N-外延层，所述接触金属层与所述氧化层侧面端接触；

接触孔，其设置在所述绝缘介质层上，所述接触孔贯穿所述绝缘介质层并且延伸至所述P型阱区层，所述接触孔内填充有金属，所述金属的顶端连接所述金属区层；

其中，所述金属区层为MOS管源极金属电极，即TMBS二极管的阳极金属电极，所述第一导电类型漏极区为MOS管漏极金属电极，即TMBS二极管的阴极金属电极。

2.根据权利要求1所述的集成TMBS结构的沟槽MOS器件，其特征在于，所述接触金属层包括源极金属电极层、欧姆接触层和TMBS肖特基接触层，所述源极金属电极欧姆接触层和TMBS肖特基接触层的底部与所述N-外延层接触，顶部与所述源极金属电极层接触，所述源极金属电极欧姆接触层位于所述TMBS肖特基接触层的侧面端，所述源极金属电极层的顶端连接所述金属区层。

3.根据权利要求1或2所述的集成TMBS结构的沟槽MOS器件，其特征在于，所述TMBS结构包含所述TMBS肖特基接触层以及一个所述沟槽。

4.根据权利要求3所述的集成TMBS结构的沟槽MOS器件，其特征在于，所述TMBS肖特基接触层包括第一金属钨连接层、第一氮化钛阻挡层与第一金属钛粘结层，所述第一金属钨连接层与所述源极金属电极层的底端接触，所述第一氮化钛阻挡层与所述第一金属钨连接层的底端接触，所述第一金属钛粘结层与所述第一氮化钛阻挡层的底端接触，所述第一氮化钛阻挡层与所述N-外延层形成TMBS肖特基接触；其中，所述TMBS肖特基接触层位于所述沟槽两侧，所述沟槽侧壁和底部均生长有所述栅氧化层，所述沟槽内部由所述多晶硅填充。

5.根据权利要求4所述的集成TMBS结构的沟槽MOS器件，其特征在于，所述多晶硅侧面端为N型重掺杂的多晶硅。