[实用新型]一种氮化镓异质结HEMT有效
| 申请号： | 201721126216.8 | 申请日： | 2017-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN207265064U | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 周炳 | 申请（专利权）人： | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙)11489 | 代理人： | 曹军 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种氮化镓异质结HEMT，包括衬底层、第一外延层、第二外延层、介质层、源极、栅极和漏极，所述第一外延层、第二外延层和介质层从下到上依次生长在衬底层上，所述第一外延层和第二外延层接触形成异质结，所述介质层上开设有源极孔和栅极孔，所述源极和栅极分别设置在源极孔和栅极孔内并分别与第二外延层接触，所述衬底层和第一外延层上开设有漏极孔，所述漏极设置在漏极孔内并与第一外延层接触。本实用新型采用垂直结构，将源极、栅极和漏极设置在不同位置，便于与其他元器件的集成，有效减少集成时空间的占用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 镓异质结 hemt | ||
【主权项】：
一种氮化镓异质结HEMT，其特征在于，包括衬底层、第一外延层、第二外延层、介质层、源极、栅极和漏极，所述第一外延层、第二外延层和介质层从下到上依次生长在衬底层上，所述第一外延层和第二外延层接触形成异质结，所述介质层上开设有源极孔和栅极孔，所述源极和栅极分别设置在源极孔和栅极孔内并分别与第二外延层接触，所述衬底层和第一外延层上开设有漏极孔，所述漏极设置在漏极孔内并与第一外延层接触。
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