[实用新型]一种氮化镓异质结HEMT有效
| 申请号： | 201721126216.8 | 申请日： | 2017-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN207265064U | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 周炳 | 申请（专利权）人： | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙)11489 | 代理人： | 曹军 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 镓异质结 hemt | ||
1.一种氮化镓异质结HEMT，其特征在于，包括衬底层、第一外延层、第二外延层、介质层、源极、栅极和漏极，所述第一外延层、第二外延层和介质层从下到上依次生长在衬底层上，所述第一外延层和第二外延层接触形成异质结，所述介质层上开设有源极孔和栅极孔，所述源极和栅极分别设置在源极孔和栅极孔内并分别与第二外延层接触，所述衬底层和第一外延层上开设有漏极孔，所述漏极设置在漏极孔内并与第一外延层接触。
2.如权利要求1所述的氮化镓异质结HEMT，其特征在于，所述衬底层为蓝宝石衬底或硅衬底，其厚度为3-5μm。
3.如权利要求1所述的氮化镓异质结HEMT，其特征在于，所述第一外延层为GaN层，其厚度为1.5-2.5μm。
4.如权利要求1所述的氮化镓异质结HEMT，其特征在于，所述第二外延层为Al0.25Ga0.75N层，其厚度为20-24nm。
5.如权利要求1所述的氮化镓异质结HEMT，其特征在于，所述介质层为SiO2层，其厚度为
6.如权利要求1所述的氮化镓异质结HEMT，其特征在于，所述源极孔的宽度为2.5-3.5um、深度为所述源极包括源极欧姆金属合金和生长在源极欧姆金属合金上的源极引线，所述源极欧姆金属合金填充在源极孔内，所述源极欧姆金属合金为Ti/Al/Ti/W，厚度为所述源极引线为金属铝，厚度为1.5-2.5μm。
7.如权利要求1所述的氮化镓异质结HEMT，其特征在于，所述栅极孔的宽度为0.5-1.5um，深度为所述栅极填充在栅极孔内，所述栅极为金属铝。
8.如权利要求1所述的氮化镓异质结HEMT，其特征在于，所述漏极孔的孔底至异质结的距离为4-6nm，所述漏极包括漏极欧姆金属合金和生长在漏极欧姆金属合金上的漏极引线，所述漏极欧姆金属合金填充在漏极孔内，所述漏极欧姆金属合金为Ti/Al/Ti/W，厚度为所述漏极引线为金属铝，厚度为3-5μm。
9.如权利要求1-8任一项所述的氮化镓异质结HEMT，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层生长在介质层上，所述钝化层为SiO2层，其厚度为3-5μm。
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