[实用新型]一种基于深槽工艺的高压分离栅器件结构

摘要

本实用新型提出一种基于深槽工艺的高压分离栅器件结构，第一导电类型外延层位于第一导电类型衬底上且邻接，第一导电类型外延层内设有沟槽，第一导电类型源区和第二导电类型第一阱区位于沟槽两侧且邻接，且第一导电类型源区设于第二导电类型第一阱区内，且沟槽内填充有源极导电多晶硅和位于其上方的栅极导电多晶硅，源极导电多晶硅的外圈设有源极氧化层，栅极导电多晶硅的两侧设有栅氧化层，其特征在于，沟槽下方设有第二导电类型第二阱区，所述第二导电类型第二阱区设于第一导电类型外延层内；本实用新型通过在沟槽下方的第一导电类型外延层内设置第二导电类型阱区，能有效提高器件的耐高压特性，适应范围广，安全可靠。

主权项

1.一种基于深槽工艺的高压分离栅MOSFET器件结构，包括元胞区和终端保护区，所述元胞区位于器件的中心区，所述终端保护区环绕在所述元胞区的周围，所述元胞区由若干个MOSFET器件单元体并联而成，所述MOSFET器件单元体包括半导体基板，所述半导体基板具有两个相对应的主面，两个主面包括第一主面（001）以及与第一主面（001）相对应的第二主面（002），第一主面（001）与第二主面（002）间包括第一导电类型外延层（2）与第一导电类型衬底（1），所述第一导电类型衬底（1）位于第一导电类型外延层（2）的下方且邻接，所述第一主面（001）为第一导电类型外延层（2）的上表面，所述第二主面（002）为第一导电类型衬底（1）的下表面，所述第一导电类型外延层（2）表面设有第二导电类型第一阱区（8），所述第二导电类型第一阱区（8）内设有若干个均匀分布的沟槽（3），所述沟槽（3）从第二导电类型第一阱区（8）的表面沿着第一主面（001）指向第二主面（002）的方向延伸到第一导电类型外延层（2）内，且沟槽（3）内填充有源极导电多晶硅（5）和栅极导电多晶硅（6），所述栅极导电多晶硅（6）位于源极导电多晶硅（5）的上方，且所述源极导电多晶硅（5）的外圈设有源极氧化层（4），所述栅极导电多晶硅（6）的两侧设有栅氧化层（7），所述第二导电类型第一阱区（8）内设有两个第一导电类型源区（9），所述第一导电类型源区（9）与沟槽（3）邻接，所述半导体基板的第一主面（001）上设有绝缘介质层（10），所述绝缘介质层（10）内设有接触孔（11），所述绝缘介质层（10）上设有源极金属（12），所述源极金属（12）通过接触孔（11）与第二导电类型第一阱区（8）及第一导电类型源区（9）欧姆接触，所述源极金属（12）与源极导电多晶硅（5）电连接，其特征在于，所述沟槽（3）下方设有第二导电类型第二阱区（13），所述第二导电类型第二阱区（13）设于第一导电类型外延层（2）内。