[实用新型]一种化合物半导体芯片异质集成封装结构有效
申请号: | 201721114943.2 | 申请日: | 2017-09-01 |
公开(公告)号: | CN207134347U | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 李春江;翟媛 | 申请(专利权)人: | 成都海威华芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/10 | 分类号: | H01L23/10;H01L23/367;H01L23/473;H01L23/48 |
代理公司: | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人: | 徐丰,张巨箭 |
地址: | 610029 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型涉及芯片封装技术领域,具体涉及一种化合物半导体芯片异质集成封装结构,包括封装外壳和从上至下设置在封装外壳内的上封装结构、连接结构及下封装结构;下封装结构包括半导体芯片和通过第一铜柱将半导体芯片的源极引出的第一引出结构;上封装结构包括倒装芯片和通过第二铜柱将倒装芯片的源极引出的第二引出结构,所述倒装芯片为半导体芯片的匹配电路;连接结构具有若干通孔,第一铜柱和第二铜柱均伸入通孔中并引出至封装外壳的接地端引线。本实用新型采用通孔结构将半导体芯片和其匹配电路相连,将两者集成在一个封装体内,减少寄生效应与通路损耗,并缩小封装模块体积。 | ||
搜索关键词: | 一种 化合物 半导体 芯片 集成 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种化合物半导体芯片异质集成封装结构,其特征在于,包括封装外壳和从上至下设置在封装外壳内的上封装结构、连接结构及下封装结构;下封装结构包括半导体芯片和通过第一铜柱将半导体芯片的源极引出的第一引出结构;上封装结构包括倒装芯片和通过第二铜柱将倒装芯片的源极引出的第二引出结构,所述倒装芯片为半导体芯片的匹配电路;连接结构具有若干通孔,第一铜柱和第二铜柱均伸入通孔中并引出至封装外壳的接地端引线。
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