[实用新型]一种化合物半导体芯片异质集成封装结构

权利要求书

1.一种化合物半导体芯片异质集成封装结构，其特征在于，包括封装外壳和从上至下设置在封装外壳内的上封装结构、连接结构及下封装结构；下封装结构包括半导体芯片和通过第一铜柱将半导体芯片的源极引出的第一引出结构；上封装结构包括倒装芯片和通过第二铜柱将倒装芯片的源极引出的第二引出结构，所述倒装芯片为半导体芯片的匹配电路；连接结构具有若干通孔，第一铜柱和第二铜柱均伸入通孔中并引出至封装外壳的接地端引线。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体芯片异质集成封装结构，其特征在于，所述第一引出结构包括：

第一聚酰亚胺层，覆盖在半导体芯片的正面，并露出半导体芯片的源极；

第一金属层，形成于半导体芯片的每个源极表面；

第二金属层，形成于第一金属层和第一聚酰亚胺层构成的上表面；

第一铜柱，形成于第二金属层表面。

3.根据权利要求1或2所述的化合物半导体芯片异质集成封装结构，其特征在于，所述第二引出结构包括：

第二聚酰亚胺层，覆盖在倒装芯片的正面，并露出倒装芯片的源极；

第三金属层，形成于倒装芯片的每个源极表面；

第四金属层，形成于第三金属层和第二聚酰亚胺层构成的上表面；

第二铜柱，形成于第四金属层表面。

4.根据权利要求2所述的化合物半导体芯片异质集成封装结构，其特征在于，所述第一金属层上表面与第一聚酰亚胺层上表面齐平。

5.根据权利要求2或4所述的化合物半导体芯片异质集成封装结构，其特征在于，所述第一金属层和第二金属层的材料包括Au。

6.根据权利要求3所述的化合物半导体芯片异质集成封装结构，其特征在于，所述第三金属层上表面与第二聚酰亚胺层上表面齐平。

7.根据权利要求3所述的化合物半导体芯片异质集成封装结构，其特征在于，所述第三金属层和第四金属层的材料包括Au。

8.根据权利要求1所述的化合物半导体芯片异质集成封装结构，其特征在于，所述半导体芯片的衬底底部设置有散热结构。

9.根据权利要求8所述的化合物半导体芯片异质集成封装结构，其特征在于，所述散热结构为微流道。