[实用新型]集成电路有效
| 申请号： | 201721107994.2 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN207966973U | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | B·弗罗门特;S·尼埃尔;A·雷尼耶;A·马扎基 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本申请涉及集成电路。集成电路包括具有电隔离的半导体阱的半导体衬底。上部沟槽隔离件从半导体阱的正面延伸到距离阱的底部一定距离的深度。两个附加隔离区域与半导体阱电绝缘，并且沿第一方向在半导体阱的内部延伸，并且从半导体阱的正面垂直延伸到半导体阱的底部。至少一个经包围的电阻区域由两个附加隔离区、上部沟槽隔离件和半导体阱的底部来界定。电接触件被电耦合到经包围的电阻区域。由此通过引入附加隔离区，允许减小电阻区域的横截面的面积，并因此允许增加集成电路的电阻器的电阻，同时减小由此占用的空间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体阱 集成电路 电阻区域 沟槽隔离 隔离区 减小 包围 电接触件 隔离区域 内部延伸 正面垂直 电隔离 电绝缘 电阻器 电耦合 延伸 衬底 电阻 界定 半导体 占用 引入 申请 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，其特征在于，包括：半导体衬底；具有第一导电类型的半导体阱，通过隔离区域与所述半导体衬底电隔离；上部沟槽隔离件，从所述半导体阱的正表面延伸到距离所述半导体阱的底部一定距离的深度；至少两个附加隔离区，与所述半导体阱电绝缘，并且在所述半导体阱的内部沿第一方向延伸，并且从所述阱的所述正表面垂直延伸到所述阱的所述底部；至少一个经包围的电阻区域，由所述至少两个附加隔离区、所述上部沟槽隔离件和所述隔离区域界定；以及至少两个接触区，被定位成与所述半导体阱的所述正表面齐平，并且被电耦合到所述至少一个经包围的电阻区域。
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