[实用新型]集成电路

权利要求书

1.一种集成电路，其特征在于，包括：

半导体衬底；

具有第一导电类型的半导体阱，通过隔离区域与所述半导体衬底电隔离；

上部沟槽隔离件，从所述半导体阱的正表面延伸到距离所述半导体阱的底部一定距离的深度；

至少两个附加隔离区，与所述半导体阱电绝缘，并且在所述半导体阱的内部沿第一方向延伸，并且从所述阱的所述正表面垂直延伸到所述阱的所述底部；

至少一个经包围的电阻区域，由所述至少两个附加隔离区、所述上部沟槽隔离件和所述隔离区域界定；以及

至少两个接触区，被定位成与所述半导体阱的所述正表面齐平，并且被电耦合到所述至少一个经包围的电阻区域。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述至少一个经包围的电阻区域通过所述至少两个附加隔离区中的两个附加隔离区、沿与所述第一方向正交的第二方向被界定，并且通过所述上部沟槽隔离件和所述隔离区域被垂直界定。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述隔离区域包括：

具有第二导电类型的掩埋半导体层，其限定所述半导体阱的所述底部，以及

具有所述第二导电类型的至少一个半导体区域，其限定从所述半导体阱的所述正表面到所述半导体阱的所述底部的所述半导体阱的至少一个边缘。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述上部沟槽隔离件是浅沟槽隔离件。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述至少两个接触区均包括具有所述第一导电类型的高度掺杂的半导体体积。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述附加隔离区均包括沟槽，所述沟槽具有到达所述半导体阱的所述底部的端部。

7.根据权利要求6所述的集成电路，其特征在于，所述沟槽填充有绝缘体。

8.根据权利要求6所述的集成电路，其特征在于，所述沟槽填充有导体，所述至少两个附加隔离区还包括：

绝缘衬垫，至少覆盖所述沟槽的壁的邻接于所述半导体阱的部分，以及

接触件，在所述沟槽的与所述半导体阱的所述正表面齐平的部分上。

9.根据权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述至少两个附加隔离区被配置为被偏置以便在所述半导体阱中沿所述沟槽的壁形成空间电荷区，所述空间电荷区更窄地界定所述至少一个经包围的电阻区域。

10.根据权利要求8所述的集成电路，其特征在于，

所述半导体阱包括多个经包围的电阻区域，所述多个经包围的电阻区域彼此平行地延伸并且被相互串联地电耦合到彼此以形成弯曲的电阻路径；以及

所述多个经包围的电阻区域中的两个经包围的电阻区域通过所述导体被相互串联地电耦合到彼此，所述导体填充被定位在所述两个经包围的电阻区域之间的所述附加隔离区的所述沟槽，所述两个相继的经包围的导体区域分别通过被定位在所述沟槽的所述端部处的互连而被电耦合到所述导体。

11.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述至少两个附加隔离区中的每个附加隔离区包括：

沟槽；以及

具有第二导电类型的注入区域，其中所述注入区域被定位在所述半导体肼中的所述沟槽的端部和所述半导体阱的所述底部之间。

12.根据权利要求11所述的集成电路，其特征在于，所述沟槽填充有绝缘体。

13.根据权利要求11所述的集成电路，其特征在于，所述沟槽填充有导体，所述至少两个附加隔离区还包括：

绝缘衬垫，至少覆盖所述沟槽的壁的邻接于所述半导体阱的部分，以及

接触件，在所述沟槽的与所述半导体阱的所述正表面齐平的部分上。