[实用新型]新型沟槽式碳化硅MOS管有效
| 申请号： | 201721005548.0 | 申请日： | 2017-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN207116439U | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所37223 | 代理人： | 商晓 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高新技术*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 新型沟槽式碳化硅MOS管，属于半导体器件领域。包括衬底，在衬底上方依次设置有半导体类型与衬底相同的外延层和半导体类型相反的基区，设置有若干沟槽，沟槽自上而下穿过基区并进入第一外延层，在沟槽的两侧设置源区，在沟槽的上部设置有同时连接沟槽两侧源区的氧化层，形成MOS结构，源区连接相邻的沟槽，氧化层覆盖在所有沟槽和源区的上方，在任意相邻的两个沟槽之间开设有接触孔，接触孔自上而下穿过氧化层和源区后进入基区中。无需高温高能离子注入、高温离子激活及扩散等特殊设备，有效形成和控制碳化硅基区及源区的掺杂浓度及结深。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 沟槽 碳化硅 mos | ||
【主权项】：
新型沟槽式碳化硅MOS管，包括衬底，在衬底上方依次设置有半导体类型与衬底相同的外延层和半导体类型相反的基区，设置有若干沟槽，沟槽自上而下穿过基区并进入漂移区，沟槽内设置栅极（7），在沟槽的两侧设置源区，在沟槽的内表面及其上部设置有同时连接沟槽两侧源区的氧化层（8），形成MOS结构，其特征在于：所述的源区连接相邻的沟槽，所述的氧化层（8）覆盖在所有沟槽和源区的上方，在任意相邻的两个沟槽之间开设有接触孔，接触孔自上而下穿过氧化层（8）和源区后进入基区中。
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