[实用新型]新型沟槽式碳化硅MOS管

权利要求书

1.新型沟槽式碳化硅MOS管，包括衬底，在衬底上方依次设置有半导体类型与衬底相同的外延层和半导体类型相反的基区，设置有若干沟槽，沟槽自上而下穿过基区并进入漂移区，沟槽内设置栅极（7），在沟槽的两侧设置源区，在沟槽的内表面及其上部设置有同时连接沟槽两侧源区的氧化层（8），形成MOS结构，其特征在于：所述的源区连接相邻的沟槽，所述的氧化层（8）覆盖在所有沟槽和源区的上方，在任意相邻的两个沟槽之间开设有接触孔，接触孔自上而下穿过氧化层（8）和源区后进入基区中。

2.根据权利要求1所述的新型沟槽式碳化硅MOS管，其特征在于：所述的沟槽的底端低于漂移区上表面0.1~0.5um。

3.根据权利要求1所述的新型沟槽式碳化硅MOS管，其特征在于：所述的接触孔底端低于基区上表面0.1~0.5um。

4.根据权利要求1所述的新型沟槽式碳化硅MOS管，其特征在于：所述的源区上方的氧化层（8）厚度为1um。

5.根据权利要求1所述的新型沟槽式碳化硅MOS管，其特征在于：所述的衬底为N+衬底（3），所述的漂移区为N漂移区（4），所述的基区为P基区（5），所述的源区为N+源区（6）。

6.根据权利要求1所述的新型沟槽式碳化硅MOS管，其特征在于：所述的衬底为P+衬底（10），所述的漂移区为P漂移区（11），所述的基区为N基区（12），所述的源区为P+源区（13）。

7.根据权利要求1所述的新型沟槽式碳化硅MOS管，其特征在于：所述的栅极（7）为多晶硅材料。

8.根据权利要求1所述的新型沟槽式碳化硅MOS管，其特征在于：所述的衬底下方设置底部金属层（2），所述的氧化层（8）上方设置顶部金属层（9），自底部金属层（2）处引出漏极（1），自顶部金属层（9）处引出源极（14）。