[实用新型]一种高效率高可靠度的碳化硅MOS管有效
| 申请号： | 201721005547.6 | 申请日： | 2017-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN207116437U | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/24;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高新技术*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种高效率高可靠度的碳化硅MOS管，属于半导体制造技术领域。包括碳化硅衬底以及衬底上方的漂移区，在漂移区的上方依次形成基区、源区以及顶层氧化物层，设置有穿过源区、基区并进入漂移区的沟槽，在衬底的上方并排设置氧化硅柱，氧化硅柱自源区穿过源区、基区以及漂移区延伸至衬底，沟槽开设在工作区的氧化硅柱内部，在工作区内相邻的氧化硅柱之间开设有接触孔，接触孔自上而下穿过顶层氧化物层、源区并进入基区，表层金属通过接触孔把相邻沟槽之间的源区及基区相连接形成源极。具有导电效能高、可靠度高的有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效率 可靠 碳化硅 mos | ||
【主权项】：
一种高效率高可靠度的碳化硅MOS管，包括碳化硅衬底以及衬底上方的漂移区，在漂移区的上方依次形成基区、源区以及顶层氧化物层（3），设置有穿过源区、基区并进入漂移区的沟槽，在沟槽内填充多晶硅（7）并形成MOS结构，其特征在于：在所述的衬底的上方并排设置若干氧化硅柱（6），氧化硅柱（6）自源区的上表面向下穿过源区、基区以及漂移区延伸至衬底的上表面处，所述的沟槽开设在工作区的氧化硅柱（6）内部，在工作区内相邻的氧化硅柱（6）之间开设有接触孔（4），接触孔（4）自上而下穿过顶层氧化物层（3）、源区并进入基区，接触孔（4）中填充有导体将相应位置的源区及基区连接。
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