[实用新型]一种高效率高可靠度的碳化硅MOS管

权利要求书

1.一种高效率高可靠度的碳化硅MOS管，包括碳化硅衬底以及衬底上方的漂移区，在漂移区的上方依次形成基区、源区以及顶层氧化物层（3），设置有穿过源区、基区并进入漂移区的沟槽，在沟槽内填充多晶硅（7）并形成MOS结构，其特征在于：在所述的衬底的上方并排设置若干氧化硅柱（6），氧化硅柱（6）自源区的上表面向下穿过源区、基区以及漂移区延伸至衬底的上表面处，所述的沟槽开设在工作区的氧化硅柱（6）内部，在工作区内相邻的氧化硅柱（6）之间开设有接触孔（4），接触孔（4）自上而下穿过顶层氧化物层（3）、源区并进入基区，接触孔（4）中填充有导体将相应位置的源区及基区连接。

2.根据权利要求1所述的高效率高可靠度的碳化硅MOS管，其特征在于：在所述顶层氧化物层（3）的上方设置有顶层金属层（1）。

3.根据权利要求1所述的高效率高可靠度的碳化硅MOS管，其特征在于：在所述衬底的下方设置有底层金属层（10）。

4.根据权利要求1所述的高效率高可靠度的碳化硅MOS管，其特征在于：所述的衬底为N+型衬底（9），所述的漂移区为N型漂移区（8），所述的基区为P型基区（5），所述的源区为N+型源区（2）。

5.根据权利要求1所述的高效率高可靠度的碳化硅MOS管，其特征在于：在最外侧开设有沟槽的氧化硅柱（6）外侧的氧化硅柱（6）形成终止区。

6.根据权利要求1所述的高效率高可靠度的碳化硅MOS管，其特征在于：所述的沟槽低于漂移区上表面0.1~0.5μm。

7.根据权利要求1所述的高效率高可靠度的碳化硅MOS管，其特征在于：所述的接触孔（4）底端低于基区上表面0.1~0.5μm。