[实用新型]隔离沟槽的填充设备及隔离沟槽的填充结构有效
| 申请号： | 201720993270.6 | 申请日： | 2017-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN207134346U | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 睿力集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所11313 | 代理人： | 张臻贤,由元 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种隔离沟槽的填充设备，包括旋涂单元，用于旋涂形成绝缘介质前驱物至晶圆表面，以填充晶圆的隔离沟槽；烘烤加热单元，与旋涂单元连接，用于对旋涂后的晶圆进行烘烤；退火冷却单元，与烘烤加热单元连接，用于对烘烤后的所述晶圆进行退火；化学过滤器，至少与烘烤加热单元连接，用于去除烘烤加热单元中的杂质气体；其中，旋涂单元、烘烤加热单元和退火冷却单元组建成于一介质旋转涂布装置中，化学过滤器包括臭氧去除装置，介质旋转涂布装置经由所述化学过滤器提供臭氧阻隔(O3free)环境。化学过滤器至少在烘烤退火的过程中将环境中的杂质臭氧过滤，有效减小甚至消除了隔离沟槽中的空洞。本实用新型还公开了一种隔离沟槽的填充结构。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 沟槽 填充 设备 结构 | ||
【主权项】：
一种隔离沟槽的填充设备，其特征在于，包括：旋涂单元，用于旋涂形成绝缘介质前驱物至晶圆表面，以填充所述晶圆的隔离沟槽；烘烤加热单元，与所述旋涂单元连接，用于对旋涂后的所述晶圆进行烘烤；退火冷却单元，与所述烘烤加热单元连接，用于对烘烤后的所述晶圆进行退火；化学过滤器，至少与所述烘烤加热单元连接，用于去除所述烘烤加热单元中的杂质气体；其中，所述旋涂单元、所述烘烤加热单元和所述退火冷却单元组建成于一介质旋转涂布装置中，所述化学过滤器包括臭氧去除装置，所述介质旋转涂布装置经由所述化学过滤器提供臭氧阻隔环境。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
