[实用新型]隔离沟槽的填充设备及隔离沟槽的填充结构有效
申请号: | 201720993270.6 | 申请日: | 2017-08-09 |
公开(公告)号: | CN207134346U | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 睿力集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所11313 | 代理人: | 张臻贤,由元 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隔离 沟槽 填充 设备 结构 | ||
1.一种隔离沟槽的填充设备,其特征在于,包括:
旋涂单元,用于旋涂形成绝缘介质前驱物至晶圆表面,以填充所述晶圆的隔离沟槽;
烘烤加热单元,与所述旋涂单元连接,用于对旋涂后的所述晶圆进行烘烤;
退火冷却单元,与所述烘烤加热单元连接,用于对烘烤后的所述晶圆进行退火;
化学过滤器,至少与所述烘烤加热单元连接,用于去除所述烘烤加热单元中的杂质气体;
其中,所述旋涂单元、所述烘烤加热单元和所述退火冷却单元组建成于一介质旋转涂布装置中,所述化学过滤器包括臭氧去除装置,所述介质旋转涂布装置经由所述化学过滤器提供臭氧阻隔环境。
2.如权利要求1所述的隔离沟槽的填充设备,其特征在于,所述介质旋转涂布装置还包括:
一预冷却单元,与所述旋涂单元连接,以对所述晶圆进行旋涂前预冷却。
3.如权利要求2所述的隔离沟槽的填充设备,其特征在于,所述介质旋转涂布装置还包括用于传送所述晶圆的输送单元,位于所述臭氧阻隔环境中。
4.如权利要求3所述的隔离沟槽的填充设备,其特征在于,所述输送单元顺次连接所述预冷却单元、所述旋涂单元、所述烘烤加热单元和所述退火冷却单元。
5.如权利要求1至4任一项所述的隔离沟槽的填充设备,其特征在于,所述化学过滤器还连接至所述旋涂单元和所述退火冷却单元其中之一。
6.一种隔离沟槽的填充结构,其特征在于,包括:
表面刻蚀有隔离沟槽的晶圆;以及,
绝缘介质,填充所述隔离沟槽,所述绝缘介质以旋涂方式由形成于所述晶圆表面的绝缘介质前驱物经氧化反应而转变成;
其中,所述绝缘介质填满所述隔离沟槽且其内部无气泡产生,并且所述绝缘介质前驱物在所述隔离沟槽中的转换效率在90%以上。
7.如权利要求6所述的隔离沟槽的填充结构,其特征在于,所述绝缘介质包含二氧化硅,残留在所述隔离沟槽中的所述绝缘介质前驱物包含聚硅氮烷。
8.如权利要求6所述的隔离沟槽的填充结构,其特征在于,所述隔离沟槽的深宽比范围为5~20,包括端点值。
9.如权利要求6所述的隔离沟槽的填充结构,其特征在于,所述隔离沟槽界定所述晶圆的表面包含多个有源区。
10.如权利要求6所述的隔离沟槽的填充结构,其特征在于,还包括介电内衬,形成于所述隔离沟槽内,用于连接所述绝缘介质。
11.如权利要求6至10任一项所述的隔离沟槽的填充结构,其特征在于,所述绝缘介质前驱物在所述隔离沟槽中的转换效率介于95%~99.9%之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造