[实用新型]平面双栅氧化物薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201720863530.8 | 申请日： | 2017-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN207303111U | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 刘玉荣 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了平面双栅氧化物薄膜晶体管及其制备方法。薄膜晶体管自下而上依次包括衬底、过渡层、栅电极层、电解质栅介质层、半导体有源层、源电极/漏电极，源电极和漏电极相对设置于半导体有源层上方；栅电极层由两个栅电极组成，两个栅电极相对设置于过渡层的上方；栅电极与源电极/漏电极设置的方向相同；源电极/漏电极位置位于两个栅电极两侧；电解质栅介质层采用具有双电层效应的电解质材料。本实用新型通过调整两个栅极的偏压可调控TFT器件的电特性；两个栅极可同时作为控制栅和信号栅使用，使电路简化；本具有低功耗、电特性可动态调控、低成本等优势，有利于在柔性化、便携式、移动式、可穿戴式等低功耗电子产品领域得到实际应用。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 氧化物 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种平面双栅氧化物薄膜晶体管，其特征在于：自下而上依次包括衬底、过渡层、栅电极层、电解质栅介质层、半导体有源层、源电极/漏电极，所述源电极和漏电极相对设置于所述半导体有源层上方；所述栅电极层由两个栅电极组成；所述两个栅电极相对设置于过渡层的上方；所述两个栅电极与源电极/漏电极的长度方向平行。
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