[实用新型]平面双栅氧化物薄膜晶体管

权利要求书

1.一种平面双栅氧化物薄膜晶体管，其特征在于：自下而上依次包括衬底、过渡层、栅电极层、电解质栅介质层、半导体有源层、源电极/漏电极，所述源电极和漏电极相对设置于所述半导体有源层上方；所述栅电极层由两个栅电极组成；所述两个栅电极相对设置于过渡层的上方；所述两个栅电极与源电极/漏电极的长度方向平行。

2.根据权利要求1所述平面双栅氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述两个栅电极的长度方向与源电极和漏电极之间所形成的沟道方向平行，所述源电极/漏电极在垂直于衬底的正投影上位于两个栅电极两侧。

3.根据权利要求1所述平面双栅氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述电解质栅介质层部分覆盖栅电极层和过渡层，并露出部分位于过渡层上的栅电极层；所述半导体有源层完全覆盖电解质栅介质层。

4.根据权利要求1所述平面双栅氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述半导体有源层的厚度为 30~60 纳米，所述半导体有源层为氧化物半导体薄膜或有机半导体薄膜。

5.根据权利要求1所述平面双栅氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述电解质栅介质层的厚度为1~5微米，所述电解质栅介质层的材料为能形成双电层效应的无机绝缘介质膜或聚离子有机电解质；

所述过渡层的厚度为100~200纳米，所述过渡层为氧化硅、氮化硅或氧化铝绝缘介质薄膜。

6.根据权利要求 1 所述平面双栅氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述栅电极层的厚度为80~100纳米。

7.根据权利要求 1 所述平面双栅氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述源电极/漏电极厚度为100~200纳米。