[实用新型]一种DC‑20GHz吸收式单刀双掷开关

摘要

本实用新型涉及微波开关技术领域，尤其为本实用新型公开了一种DC‑20GHz吸收式单刀双掷开关，有12级开关晶体管结构；射频公共端口通过电感与第1级、第7级晶体管的源极相连；第1～6级晶体管构成开关的第一个支路，第7～12级晶体管构成第二个支路，两个支路以射频公共端口的轴线形成镜面对称，连接方式和参数均相同；第6级晶体管漏极通过电感与射频输出口RF1相连；第12级晶体管漏极通过电感与射频输出口RF2相连。本实用新型电路结构简单，具有超带宽、输入输出反射系数小、插损小、隔离度高、尺寸小等优点，解决了传统电路指标的不足和缺陷，能够满足雷达、通讯等微波工程的指标需求。

主权项

一种DC‑20GHz吸收式单刀双掷开关，包括1个射频输入端口RFC、2个射频输出口RF1、RF2，2个直流控制端口VC1、VC2，12级开关晶体管结构，其特征在于：射频输入端口RFC通过电感L1与第1级、第7级晶体管T1、T7的源极相连；第1～6级晶体管T1～T6构成开关的第一个支路，第7～12级晶体管T7～T12构成第二个支路，两个支路以射频输入端口RFC的轴线形成镜面对称；第1级晶体管T1栅极通过高阻值电阻R1与直流控制端口VC1相连；第1级晶体管T1漏极通过电感L2与第2级晶体管T2漏极相连；第2～5级晶体管T2～T5漏极之间通过电感L4、L6、L8相连；第2～5级晶体管T2～T5栅极分别通过高阻值电阻R2、R3、R4、R5与直流控制端口VC2相连；第2～5级晶体管T2～T5源极分别通过电感L3、L5、L7、L9接地；第5级晶体管T5的漏极与第6级晶体管T6的源极通过电感L10相连；第6级晶体管栅极通过高阻值电阻R6与直流控制端口VC1相连；第6级晶体管T6漏极通过电感L11与射频输出口RF1相连；作为吸收负载的低阻值电阻R7一端与第6级晶体管T6源极相连，另外一端与其漏极相连；第7～12级晶体管T7～T12构成的第二支路与第一支路连接方式和参数均相同；第12级晶体管T12漏极通过电感L21与射频输出口RF2相连。