[实用新型]一种DC‑20GHz吸收式单刀双掷开关

说明书

技术领域

本实用新型涉及微波开关技术领域，具体为一种DC-20GHz吸收式单刀双掷开关。

背景技术

传统的开关控制电路，通常采用单级串联/并联晶体管结构，或者两级串并联晶体管结构来实现。单级的串联结构，具有宽带，高频插损大，隔离度小的特点，单级的并联结构，具有窄带，高频插损小而隔离度大的特点；两级串并联结构结合了两者的优点，但是也需要在插损和隔离度之间进行折中。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种DC-20GHz吸收式单刀双掷开关，以解决上述背景技术中提出的问题。所述DC-20GHz吸收式单刀双掷开关具有超带宽、输入输出反射系数小、插损小、隔离度高、尺寸小等优点，解决了传统电路指标的不足和缺陷。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种DC-20GHz吸收式单刀双掷开关，包括1个射频输入端口RFC、2个射频输出口RF1、RF2，2个直流控制端口VC1、VC2，12级开关晶体管结构，

射频输入端口RFC通过电感L1与第1级、第7级晶体管T1、T7的源极相连；第1～6级晶体管T1～T6构成开关的第一个支路，第7～12级晶体管T7～ T12构成第二个支路，两个支路以射频输入端口RFC的轴线形成镜面对称；

第1级晶体管T1栅极通过高阻值电阻R1与直流控制端口VC1相连；第1 级晶体管T1漏极通过电感L2与第2级晶体管T2漏极相连；第2～5级晶体管 T2～T5漏极之间通过电感L4、L6、L8相连；第2～5级晶体管T2～T5栅极分别通过高阻值电阻R2、R3、R4、R5与直流控制端口VC2相连；第2～5级晶体管 T2～T5源极分别通过电感L3、L5、L7、L9接地；

第5级晶体管T5的漏极与第6级晶体管T6的源极通过电感L10相连；

第6级晶体管栅极通过高阻值电阻R6与直流控制端口VC1相连；第6级晶体管T6漏极通过电感L11与射频输出口RF1相连；作为吸收负载的低阻值电阻 R7一端与第6级晶体管T6源极相连，另外一端与其漏极相连；

第7～12级晶体管T7～T12构成的第二支路与第一支路连接方式和参数均相同；

第12级晶体管T12漏极通过电感L21与射频输出口RF2相连。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：电路结构简单，具有超带宽、输入输出反射系数小、插损小、隔离度高、尺寸小等优点，解决了传统电路指标的不足和缺陷。

附图说明

图1为本实用新型电路结构示意图；

图2为采用本实用新型测试后的输入输出反射系数图；

图3为采用本实用新型测试后的另一种输入输出反射系数图；

图4为采用本实用新型测试后的插损图；

图5为采用本实用新型测试后的隔离度图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，本实用新型提供一种技术方案：

一种DC-20GHz吸收式单刀双掷开关，包括1个射频输入端口RFC、2个射频输出口RF1、RF2，2个直流控制端口VC1、VC2，12级开关晶体管结构，

射频输入端口RFC通过电感L1与第1级、第7级晶体管T1、T7的源极相连；第1～6级晶体管T1～T6构成开关的第一个支路，第7～12级晶体管T7～ T12构成第二个支路，两个支路以射频输入端口RFC的轴线形成镜面对称；

第1级晶体管T1栅极通过高阻值电阻R1与直流控制端口VC1相连；第1 级晶体管T1漏极通过电感L2与第2级晶体管T2漏极相连；第2～5级晶体管 T2～T5漏极之间通过电感L4、L6、L8相连；第2～5级晶体管T2～T5栅极分别通过高阻值电阻R2、R3、R4、R5与直流控制端口VC2相连；第2～5级晶体管 T2～T5源极分别通过电感L3、L5、L7、L9接地；

第5级晶体管T5的漏极与第6级晶体管T6的源极通过电感L10相连；

第6级晶体管栅极通过高阻值电阻R6与直流控制端口VC1相连；第6级晶体管T6漏极通过电感L11与射频输出口RF1相连；作为吸收负载的低阻值电阻 R7一端与第6级晶体管T6源极相连，另外一端与其漏极相连；