[实用新型]宝石级大单晶金刚石多腔体合成结构有效
| 申请号： | 201720765288.0 | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN206911301U | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 邵增明;张存升 | 申请（专利权）人： | 河南省力量钻石股份有限公司 |
| 主分类号： | B01J3/06 | 分类号： | B01J3/06 |
| 代理公司： | 郑州大通专利商标代理有限公司41111 | 代理人： | 周艳巧 |
| 地址： | 476200 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本实用新型属于超硬材料合成技术领域，特别涉及一种宝石级大单晶金刚石多腔体合成结构，包含设有组装腔的传压块，组装腔内设置有绝缘体，绝缘体上下两端对称设置有导电堵头组件；绝缘体开设有多个圆柱形合成腔，圆柱形合成腔高度均与绝缘体高度一致；圆柱形合成腔内设置有大单晶生长组件。本实用新型结构简单，设计新颖合理，通过采用多腔体加热结构，能够实现腔体内温度的长时间平衡，确保合成所需的温差保持稳定，从而使宝石级大单晶实现长时间合优质的生长；避免了原生长方式各大颗粒金刚石碳源分布不均，金刚石生长相互争夺碳源，生长速度不一的情况，可实现腔体内个颗粒的碳源均匀有效供给，从而实现粒度的均匀一致和优质生长。 | ||
| 搜索关键词： | 宝石 级大单晶 金刚石 多腔体 合成 结构 | ||
【主权项】：
一种宝石级大单晶金刚石多腔体合成结构，包含设有组装腔的传压块，其特征在于，组装腔内设置有绝缘体，绝缘体上下两端对称设置有导电堵头组件；绝缘体开设有多个圆柱形合成腔，圆柱形合成腔高度均与绝缘体高度一致；圆柱形合成腔内设置有大单晶生长组件。
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