[实用新型]一种新型半导体激光器有效

专利信息
申请号: 201720677722.X 申请日: 2017-06-12
公开(公告)号: CN206864864U 公开(公告)日: 2018-01-09
发明(设计)人: 王昱玺;刘拓;陈发涛;潘彦廷;王志强;冯旭超;陈怡婷;马梦婕;孙娟娟 申请(专利权)人: 陕西源杰半导体技术有限公司
主分类号: H01S5/028 分类号: H01S5/028
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司61200 代理人: 徐文权
地址: 712000 陕西省西安市西咸新区沣西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型公开了一种新型半导体激光器,包括激光器本体以及分别镀覆在激光器本体两端高反射膜和减反射膜,高反射膜和减反射膜与激光器本体之间还设置有一层镀覆在激光器端面的密封膜。本实用新型对传统半导体腔面镀膜结构的优化,通过在激光器的端面镀一层密封膜于半导体端面,特别是Al膜,Al膜能够与半导体端面进行更好的结合,从而进行防氧化保护,避免半导体的端面氧化导致的端面堆积热能,进而避免了热能堆积所带来的可靠性问题。
搜索关键词: 一种 新型 半导体激光器
【主权项】:
一种新型半导体激光器,其特征在于,包括激光器本体(1)以及分别镀覆在激光器本体(1)两端高反射膜(3)和减反射膜(2),高反射膜(3)和减反射膜(2)与激光器本体(1)之间还设置有一层镀覆在激光器端面的密封膜(4)。
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