[实用新型]一种新型半导体激光器有效
| 申请号： | 201720677722.X | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN206864864U | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 王昱玺;刘拓;陈发涛;潘彦廷;王志强;冯旭超;陈怡婷;马梦婕;孙娟娟 | 申请（专利权）人： | 陕西源杰半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 712000 陕西省西安市西咸新区沣西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 半导体激光器 | ||
1.一种新型半导体激光器，其特征在于，包括激光器本体(1)以及分别镀覆在激光器本体(1)两端高反射膜(3)和减反射膜(2)，高反射膜(3)和减反射膜(2)与激光器本体(1)之间还设置有一层镀覆在激光器端面的密封膜(4)。
2.根据权利要求1所述的一种新型半导体激光器，其特征在于，减反射膜(2)包括从内到外依次镀覆的第一氧化铝膜层、硅膜层和第二氧化铝膜层，其中厚度分别为：16nm、35nm和70nm；高反射膜(3)包括从内到外依次镀覆的第一氧化铝膜层、硅膜层、第二氧化铝膜层、硅膜层和第三氧化铝膜层，其中厚度分别为：230nm、100nm、230nm、100nm和30nm。
3.根据权利要求1所述的一种新型半导体激光器，其特征在于，减反射膜(2)包括从内到外依次镀覆的第一氧化钽膜层、硅膜层和第二氧化钽膜层，其中厚度分别为：20nm、38nm和45nm；高反射膜(3)包括从内到外依次镀覆的第一氧化钽膜层、硅膜层、第二氧化钽膜层、硅膜层和第三氧化钽膜层，其中厚度分别为：130nm、100nm、130nm、100nm和60nm。
4.根据权利要求1所述的一种新型半导体激光器，其特征在于，密封膜(4)的厚度为5nm。
5.根据权利要求1所述的一种新型半导体激光器，其特征在于，两层密封膜(4)的厚度相等。
6.根据权利要求1所述的一种新型半导体激光器，其特征在于，密封膜(4)为铝膜层。
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