[实用新型]一种超薄芯片的吸取装置有效
| 申请号: | 201720659986.2 | 申请日: | 2017-06-08 |
| 公开(公告)号: | CN206864447U | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
| 发明(设计)人: | 周木火 | 申请(专利权)人: | 太极半导体(苏州)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司: | 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙)32246 | 代理人: | 朱斌兵 |
| 地址: | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本实用新型涉及一种超薄芯片的吸取装置,包括上下相对设置的吸嘴组件和吸附顶针组件;吸附顶针组件包括吸取平台和设置在吸取平台内的三段式顶针平台;吸取平台上分布有多个真空孔;下底座内设有升降杆,且升降杆上端与上底座相连;上底座上端设有多个固定杆;固定杆上端固设有第一顶针平台;第一顶针平台内位于上底座的上端设有多个可上下升降的第一顶杆;第一顶杆上端固设有第二顶针平台;第二顶杆设置在固定板上,上述固定板设置在多个第一顶杆之间,且第二顶杆上端设有第三顶针平台,本实用新型采用多段式平台顶针分三段将粘膜上的芯片顶起,使芯片和粘膜逐渐脱离,可有效减少粘膜对芯片的粘性,能避免芯片局部受力或受力不均造成芯片碎裂。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 超薄 芯片 吸取 装置 | ||
【主权项】:
一种超薄芯片的吸取装置,其特征在于:包括上下相对设置的平面吸嘴组件和吸附顶针组件;所述吸嘴组件包括吸嘴固定座和设置在吸嘴固定座下端的平面吸嘴;所述平面吸嘴的下表面呈平面状,且平面吸嘴的下表面上开有多个吸附孔,用于吸附芯片;所述吸附顶针组件包括吸取平台和设置在吸取平台内的三段式顶针平台;所述吸取平台上分布有多个真空孔;所述三段式顶针平台包括下底座、上底座、升降杆、固定杆、第一顶针平台、第二顶杆、第二顶针平台、固定板和第三顶针平台;所述下底座设置在吸取平台内部的中心处;所述下底座内设有升降杆,且升降杆上端与上底座相连;所述上底座上端设有多个固定杆;所述固定杆上端固设有第一顶针平台;所述第一顶针平台内位于上底座的上端设有多个可上下升降的第一顶杆;所述第一顶杆上端固设有第二顶针平台;所述第二顶杆设置在固定板上,上述固定板设置在多个第一顶杆之间,且第二顶杆上端设有位于第二顶针平台内的第三顶针平台。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





