[实用新型]一种超薄芯片的吸取装置有效
| 申请号: | 201720659986.2 | 申请日: | 2017-06-08 | 
| 公开(公告)号: | CN206864447U | 公开(公告)日: | 2018-01-09 | 
| 发明(设计)人: | 周木火 | 申请(专利权)人: | 太极半导体(苏州)有限公司 | 
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 | 
| 代理公司: | 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙)32246 | 代理人: | 朱斌兵 | 
| 地址: | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码: | 江苏;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 超薄 芯片 吸取 装置 | ||
技术领域
本实用新型属于半导体芯片封装领域,尤其涉及一种超薄芯片的吸取装置。
背景技术
在半导体芯片封装过程中,需要将裸芯片从粘膜上拾取后放置到基材上,以便完成后续的芯片整体封装。目前芯片拾取方式使用顶针式顶针座和普通橡胶吸嘴,但是在长时间的使用后发现,使用顶针和普通吸嘴作业超薄芯片时存在以下的不足:(1)由于顶针是组合式排列,顶针平面会有不平,导致部分点突出,造成芯片局部受力;(2)顶针排列由于设计缺陷,顶针在排列时顶针之间有一定的间隙,不能提供芯片完全的支撑;(3)顶针作业时芯片和粘膜紧密结合,不容易脱离;(4)普通橡胶吸嘴只在中间有真空凹槽,吸取超薄芯片时造成芯片的变形,从而给实际的生产加工带来了诸多隐患,芯片的不良率高。
实用新型内容
本实用新型目的是为了克服现有技术的不足而提供一种在芯片拾取时,能为芯片提供足够的平台支撑,芯片和粘膜的之间分三段脱离,减少粘膜对芯片的粘性,避免芯片碎裂的超薄芯片的吸取装置。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种超薄芯片的吸取装置,包括上下相对设置的平面吸嘴组件和吸附顶针组件;所述平面吸嘴组件包括平面吸嘴固定座和设置在平面吸嘴固定座下端的平面吸嘴;所述平面吸嘴的下表面呈平面状,且平面吸嘴的下表面上开有多个吸附孔,用于吸附芯片;所述吸附顶针组件包括吸取平台和设置在吸取平台内的三段式顶针平台;所述吸取平台上分布有多个真空孔;所述三段式顶针平台包括下底座、上底座、升降杆、固定杆、第一顶针平台、第二顶杆、第二顶针平台、固定板和第三顶针平台;所述下底座设置在吸取平台内部的中心处;所述下底座内设有升降杆,且升降杆上端与上底座相连;所述上底座上端设有多个固定杆;所述固定杆上端固设有第一顶针平台;所述第一顶针平台内位于上底座的上端设有多个可上下升降的第一顶杆;所述第一顶杆上端固设有第二顶针平台;所述第二顶杆设置在固定板上,上述固定板设置在多个第一顶杆之间,且第二顶杆上端设有位于第二顶针平台内的第三顶针平台。
优选的,所述平面吸嘴的材质为橡胶;所述平面吸嘴的下表面呈长方形,且平面吸嘴下表面上设有六列吸附孔组,每列吸附孔组包括四个平行设置的吸附孔。
优选的,所述上底座和下底座之间还设有弹簧。
优选的,所述第一顶针平台和第二顶针平台的形状呈“口”字型;所述第三顶针平台的形状呈长方形。
由于上述技术方案的运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点:
本实用新型方案的超薄芯片的吸取装置,在平面吸嘴吸取住超薄芯片的同时,多段式平台顶针分三段将粘膜上的芯片顶起,在分段将芯片顶起的过程中,使芯片和粘膜逐渐脱离,可有效减少粘膜对芯片的粘性,并且顶针平台可提供有效的平面支撑,同时,平面吸嘴下表面呈平面状,避免芯片局部受力或受力不均造成芯片碎裂。
附图说明
附图1为本实用新型的结构示意图;
附图2为平面吸嘴的平面结构示意图;
附图3为三段式顶针平台的俯视图;
附图4为略去第一顶针平台、第二顶针平台和第三顶针平台后三段式顶针平台的结构示意图;
附图5为本实用新型工作时,芯片和粘膜分离的流程示意图;
其中:1、平面吸嘴固定座;2、平面吸嘴;3、芯片;4、粘膜;5、三段式顶针平台;6、吸取平台;12、吸附孔;50、平面吸嘴组件;60、吸附顶针组件;210、下底座;211、上底座;212、升降杆;213、固定杆;214、第一顶针平台;215、第二顶杆;216、第二顶针平台;217、固定板;218、第二顶杆;219、第三顶针平台;200、真空孔;312、弹簧。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





