[实用新型]基于CMOS工艺的箱型金属电容结构

摘要

本实用新型提供了一种基于CMOS工艺的箱型金属电容结构，主要由上下分布的多层金属层构成，包括下面层、上面层以及设置在所述下面层和上面层之间的叉指结构层，所述叉指结构层包括边框以及位于所述边框内的顶板叉指、底板叉指和纵向连接条，用作连接层的叉指结构层在边框上设置边框缺口，使纵向连接条和位于中央的顶端叉指的两端分别从这些缺口延伸出来，形成各方向上的连接端。本实用新型将顶端叉指封闭由底端电极围成的箱体内，大幅度减小了顶端电极侧的寄生电容，能够很好地适应SAR ADC等电路设计，并且连接简便，布局整洁。

主权项

一种基于CMOS工艺的箱型金属电容结构，由或主要由上下分布的多层金属层构成，相邻金属层之间设有绝缘隔离层，所述金属层包括下面层、上面层以及设置在所述下面层和上面层之间的一个或多个叉指结构层，当所述叉指结构层为一层时，该叉指结构层的顶端电极板构成电容的顶端电极，该叉指结构层的底端电极板与所述上面层和下面层相互连接，共同构成电容的底端电极，当所述叉指结构层为多层时，各所述叉指结构层的顶端电极板相互连接，共同构成电容的顶端电极，各所述叉指结构层的底端电极板与所述上面层和下面层相互连接，共同构成电容的底端电极，所述叉指结构层包括边框以及位于所述边框内的顶板叉指、底板叉指和纵向连接条，所述边框呈矩形，包括前、后、左、右四个侧边，所述顶板叉指和底板叉指均呈横向直线状，所述纵向连接条呈纵向直线状，所述顶板叉指和底板叉指交错相间分布，所述顶板叉指与所述左、右侧边之间均留有间距，所述纵向连接条与所述顶板叉指的中部交叉且在交叉区域重合为一体，共同构成该叉指结构层的顶端电极板，所述底板叉指分为左右对称的两部分且均与所述纵向连接条之间留有间距，左、右两部分的底板叉指分别与所述左、右侧边连接，与边框共同构成该叉指结构层的底端电极板，所述叉指结构层包括两种形式，一种为连接层，一种为封闭层，所述连接层的前、后侧边上设有一对相互对称的边框缺口，和/或，所述连接层的左、右侧边上设有一对或多对相互对称的边框缺口，当所述前、后侧边上设有一对相互对称的边框缺口时，所述纵向连接条的两端分别从前、后边框上的边框缺口处延伸出来，形成顶端电极板的纵向连接端，当所述左、右侧边上设有一对或多对相互对称的边框缺口时，对应于同一对边框缺口的顶板叉指的两端分别从左、右边框上对应的边框缺口处延伸出来，形成顶端电极板的横向连接端，所述封闭层的边框是封闭的，不设边框缺口，将纵向连接条和顶板叉指全部封闭在其中，所述连接层的数量至少为一个，所述封闭层的数量为0、一个或多个。