[实用新型]基于CMOS工艺的箱型金属电容结构

权利要求书

1.一种基于CMOS工艺的箱型金属电容结构，由或主要由上下分布的多层金属层构成，相邻金属层之间设有绝缘隔离层，所述金属层包括下面层、上面层以及设置在所述下面层和上面层之间的一个或多个叉指结构层，当所述叉指结构层为一层时，该叉指结构层的顶端电极板构成电容的顶端电极，该叉指结构层的底端电极板与所述上面层和下面层相互连接，共同构成电容的底端电极，当所述叉指结构层为多层时，各所述叉指结构层的顶端电极板相互连接，共同构成电容的顶端电极，各所述叉指结构层的底端电极板与所述上面层和下面层相互连接，共同构成电容的底端电极，所述叉指结构层包括边框以及位于所述边框内的顶板叉指、底板叉指和纵向连接条，所述边框呈矩形，包括前、后、左、右四个侧边，所述顶板叉指和底板叉指均呈横向直线状，所述纵向连接条呈纵向直线状，所述顶板叉指和底板叉指交错相间分布，所述顶板叉指与所述左、右侧边之间均留有间距，所述纵向连接条与所述顶板叉指的中部交叉且在交叉区域重合为一体，共同构成该叉指结构层的顶端电极板，所述底板叉指分为左右对称的两部分且均与所述纵向连接条之间留有间距，左、右两部分的底板叉指分别与所述左、右侧边连接，与边框共同构成该叉指结构层的底端电极板，所述叉指结构层包括两种形式，一种为连接层，一种为封闭层，所述连接层的前、后侧边上设有一对相互对称的边框缺口，和/或，所述连接层的左、右侧边上设有一对或多对相互对称的边框缺口，当所述前、后侧边上设有一对相互对称的边框缺口时，所述纵向连接条的两端分别从前、后边框上的边框缺口处延伸出来，形成顶端电极板的纵向连接端，当所述左、右侧边上设有一对或多对相互对称的边框缺口时，对应于同一对边框缺口的顶板叉指的两端分别从左、右边框上对应的边框缺口处延伸出来，形成顶端电极板的横向连接端，所述封闭层的边框是封闭的，不设边框缺口，将纵向连接条和顶板叉指全部封闭在其中，所述连接层的数量至少为一个，所述封闭层的数量为0、一个或多个。

2.如权利要求1所述的箱型金属电容结构，其特征在于所述边框的各侧边、顶板叉指、底板叉指和纵向连接条均呈矩形条状。

3.如权利要求2所述的箱型金属电容结构，其特征在于所述边框的各侧边、顶板叉指、底板叉指和纵向连接条的宽度相等。

4.如权利要求3所述的箱型金属电容结构，其特征在于相邻叉指之间的间距相等，且等于与边框相邻的顶板叉指与相邻侧边之间的间距。

5.如权利要求1所述的箱型金属电容结构，其特征在于相邻叉指之间的间距满足最小DRC要求。

6.如权利要求1所述的箱型金属电容结构，其特征在于各所述金属层均相对于横向中分线左右镜像对称和相对于纵向中分线前后镜像对称的双镜像对称结构。

7.如权利要求1、2、3、4、5或6所述的箱型金属电容结构，其特征在于所述金属层的数量不少于3层。

8.如权利要求7所述的箱型金属电容结构，其特征在于所述叉指结构层的数量为奇数，所述连接层位于中间。

9.如权利要求8所述的箱型金属电容结构，其特征在于所述顶板叉指的数量为奇数。

10.如权利要求9所述的箱型金属电容结构，其特征在于所述连接层的前后侧边上和左右侧边上均设有一对边框缺口且各边框缺口分别位于各自所在的侧边的中央。