[实用新型]高阻衬底上的GaNHEMT管芯结构有效
| 申请号： | 201720594509.2 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN206947354U | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 宋旭波;吕元杰;敦少博;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 赵宝琴 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高阻衬底上的GaN HEMT管芯结构，涉及GaN HEMT器件结构技术领域，自下而上包括接地层、衬底、沟道层、势垒层、绝缘介质、台面、填充区、栅极、源极和漏极；栅极和漏极下面为绝缘介质，栅极和漏极正下方的势垒层和沟道层被掏空形成填充区，填充区内填充金，接地层为金，栅极和漏极正下方的势垒层和沟道层被掏空形成填充区，然后填充金，由于金具有良好的导电性，因此栅极和漏极对地之间的寄生电导减小，从而降低了射频信号在衬底上的损耗，提高器件的射频性能。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 ganhemt 管芯 结构 | ||
【主权项】：
一种高阻衬底上的GaN HEMT管芯结构，其特征在于：自下而上包括接地层（1）、衬底（2）、沟道层（3）、势垒层（4）、绝缘介质（5）、台面（9）、填充区（17）、栅极（6）、源极（7）和漏极（8）；栅极（6）和漏极（8）下面为绝缘介质（5），栅极（6）和漏极（8）正下方的势垒层（4）和沟道层（3）被掏空形成填充区（17），填充区（17）内填充金，接地层（1）为金。
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