[实用新型]高阻衬底上的GaNHEMT管芯结构有效
申请号: | 201720594509.2 | 申请日: | 2017-05-25 |
公开(公告)号: | CN206947354U | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 宋旭波;吕元杰;敦少博;冯志红 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | H01L29/778 | 分类号: | H01L29/778;H01L29/10 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人: | 赵宝琴 |
地址: | 050051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 ganhemt 管芯 结构 | ||
1.一种高阻衬底上的GaN HEMT管芯结构,其特征在于:自下而上包括接地层(1)、衬底(2)、沟道层(3)、势垒层(4)、绝缘介质(5)、台面(9)、填充区(17)、栅极(6)、源极(7)和漏极(8);栅极(6)和漏极(8)下面为绝缘介质(5),栅极(6)和漏极(8)正下方的势垒层(4)和沟道层(3)被掏空形成填充区(17),填充区(17)内填充金,接地层(1)为金。
2.根据权利要求1所述的高阻衬底上的GaN HEMT管芯结构,其特征在于:所述栅极(6)包括栅极金属(15)和栅极PAD(12),栅极金属(15)和栅极PAD(12)通过带状金属(16)连接;所述漏极(8)包括漏极金属及合金(13)和漏极PAD(10),漏极金属及合金(13)和漏极PAD(10)通过带状金属(16)连接;源极(7)包括源极金属及合金(14)和源极PAD(11),源极金属及合金(14)和源极PAD(11)通过带状金属(16)连接。
3.根据权利要求2所述的高阻衬底上的GaN HEMT管芯结构,其特征在于:所述漏极金属及合金(13)和台面(9)通过高温快速热退火或者n+GaN再生长工艺形成欧姆接触;源极金属及合金(14)和台面(9)通过高温快速热退火或者n+GaN再生长工艺形成欧姆接触;栅极金属(15)和台面(9)直接接触形成肖特基接触。
4.根据权利要求1所述的高阻衬底上的GaN HEMT管芯结构,其特征在于:所述台面(9)采用离子注入或刻蚀的方式形成,台面(9)深度不少于30nm。
5.根据权利要求1所述的高阻衬底上的GaN HEMT管芯结构,其特征在于:所述衬底(2)为高阻SiC、高阻Si或高阻GaN。
6.根据权利要求1所述的高阻衬底上的GaN HEMT管芯结构,其特征在于:所述沟道层(3)为Fe掺杂或C掺杂的GaN。
7.根据权利要求1所述的高阻衬底上的GaN HEMT管芯结构,其特征在于:所述势垒层(4)为AlxGa1-xN,其中0.05<x<1。
8.根据权利要求1所述的高阻衬底上的GaN HEMT管芯结构,其特征在于:所述绝缘介质(5)为二氧化硅、氧化铪、氮化硅、氮化铝、氧化铝以及它们间的组合,厚度为100nm-5000nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所,未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720594509.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种能够快速散热的散热风机
- 下一篇:空调器及其贯流风机
- 同类专利
- 专利分类