[实用新型]一种同时使用大电阻和大电容的电路有效
| 申请号： | 201720591342.4 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN206962795U | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 王亚杰 | 申请（专利权）人： | 北京海尔集成电路设计有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100088 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种同时使用大电阻和大电容的电路，其中poly电阻阵列采用工艺最小poly宽度来实现高阻值，MIM电容阵列设置在poly电阻阵列之上来节省面积。其中所述poly电阻阵列由多个形状相同的poly电阻单元并行排列组成，使所有poly电阻单元两端的接触端口规则排列；其中所述MIM电容阵列由N个规则排列的MIM电容单元构成。其中所述poly电阻单元的长度大于所述MIM电容阵列的总长度，以使所述poly电阻单元两侧的接触端口伸出所述MIM电容阵列的两侧，便于电阻连线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 同时 使用 电阻 电容 电路 | ||
【主权项】：
一种同时使用大电阻和大电容的电路，其特征在于，包括poly电阻阵列和MIM电阵列；所述poly电阻阵列由多个形状相同的poly电阻单元并行排列组成,使poly电阻单元两端的接触端口规则排列于poly电阻阵列的两侧，且每一poly电阻单元的宽度为工艺最小宽度；所述MIM电容阵列包括N个规则排列的MIM电容单元，且电容阵列设置在poly电阻阵列之上；其中所述poly电阻单元的长度大于所述MIM电容阵列的总长度，以使所述poly电阻两侧的接触端口伸出所述MIM电容阵列的两侧。
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