[实用新型]一种同时使用大电阻和大电容的电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电路技术领域，尤其涉及一种同时使用大电阻和大电容的电路。

背景技术

在很多电路中都不可避免的要同时使用大电容和大电阻，例如电容耦合电路、DCOC电路。在这些电路中的电容值和电阻值通常都很大；当然大电容和大电阻都是相对来说的，一般认为电路中电容值在几pF以上的为大电容，电阻值在几十KΩ以上的为大电阻。通常在使用数值比较大的MIM电容(metal insulator metal，金属-电介质-金属)和poly电阻时，最大的挑战是这两种元器件都需要占用很大的空间，导致在电路设计时很难满足小型化的要求。

实用新型内容

针对现有技术中存在的MIM电容和poly电阻占用很大空间导致难以满足小型化要求的问题，本实用新型实施例提出了一种设计更为合理的大电阻和大电容的电路设计方法。

为了实现上述目的，本实用新型实施例提出了一种同时使用大电阻和大电容的电路，包括poly电阻阵列和MIM电阵列；所述poly电阻的宽度取工艺最小宽度以实现高阻值；poly电阻阵列由多个形状相同的poly电阻单元并行排列组成,且poly电阻单元两端的接触端口规则排列于poly电阻阵列的两侧；所述MIM电容阵列包括N个规则排列的MIM电容单元，且电容阵列设置在poly电阻阵列之上；其中所述poly电阻单元的长度大于所述MIM电容阵列的总长度，以使所述poly电阻两侧的接触端口伸出所述MIM电容阵列的两侧。

其中，所述MIM电容阵列由N个MIM电容单元规则排列组成，其中所述MIM电容单元为正方形或长方形，构成的电容阵列也为正方形或长方形。

其中,所述电阻阵列由多个矩形poly电阻单元组成，且所述矩形poly电阻以长边并行排列，形成poly电阻阵列，所述电阻阵列为正方形或长方形。

其中，所述每一矩形poly电阻单元的宽度为W，其中W≥工艺中最小poly宽度，以取得最大阻值。

本实用新型的上述技术方案的有益效果如下：上述方案中提出了一种同时使用大电阻和大电容的电路，通过将poly电阻和MIM电容层叠设置，可以实现最大限度的节省空间，实现电路的小型化。另外，本实用新型还可以用于数字电视芯片和系统。

附图说明

图1为本实用新型实施例的同时使用大电阻和大电容的电路结构示意图；

图2为举例说明的一个实际电路的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

本实用新型实施例提出了一种同时使用大电阻和大电容的电路，如图1所示的，所述MIM电容单元为正方形，构成MIM电容阵列，且所述电容阵列沿竖直和水平方向均平均分布，形成了正方形。所述poly电阻单元为矩形，以矩形的poly电阻的长边并行排列形成poly电阻阵列。

其中，所述矩形的poly电阻单元的宽度为W，其中W≥电路工艺中最小poly宽度，以最小的面积实现阻值最大化；

其中，要保证poly电阻长度大于电容阵列总长度，使两侧的接触端口延伸出MIM电容阵列的两侧，便于电阻连线；

同时，本实用新型实施例还提出将大电容层叠于大电阻层之上的设计方法，大大节约了版图面积。

本实用新型实施例对于现有的大电阻和大电容的电路，可以节约面积，且不影响电路效果；尤其在对电容和电阻的绝对值要求不是太严格时，该方法可以节约50％左右的面积。

图2是以一个实际的差分电容耦合电路为例，采用tsmc1p5m、0.18um工艺，其中Poly电阻约为14.7MΩ*2，电容取值为4pF*2。

在tsmc018工艺中，4pF*2的MIM电容需要16个22um*22um的电容并联，以横8竖3构成电容阵列。多出2个电容为其他电路所用。

在tsmc018工艺，poly电阻最小宽度为1um，而poly本身最小宽度为0.18um，那么取0.18um宽的poly来做电阻，大大提升电阻值，同时缩小面积。当然tsmc规则中不会提议这样做，但实际流片效果很是不错。6个并联的电容长度约147.01um，电阻单元采用长宽比为150um/0.18um的poly电阻，150um的长度刚好使电阻单元两端的接触端口延伸在电容阵列之外。14.7MΩ*2的电阻需要约110根电阻单元串联，以长边150um并行排列，构成电阻阵列。