[实用新型]薄膜晶体管、显示面板和显示装置有效
| 申请号： | 201720379758.X | 申请日： | 2017-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN206774553U | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 何泽尚;楼均辉;吴天一 | 申请（专利权）人： | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11603 | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 201201 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了薄膜晶体管、显示面板和显示装置。该薄膜晶体管包括栅电极；覆盖栅电极的栅电极绝缘层；位于栅电极绝缘层上的有源层、绝缘层、源电极和漏电极，有源层包括源极区、漏极区以及位于源极区和漏极区之间的沟道区；栅电极与有源层不接触，且向沟道区所在平面的正投影覆盖沟道区；绝缘层覆盖沟道区，源电极覆盖源极区和至少部分绝缘层，漏电极覆盖漏极区和至少部分绝缘层；其中，绝缘层中，向沟道区的正投影与沟道区重叠部分中的至少部分的含氢量小于与源电极和漏电极接触的部分的含氢量。该实施方式可适当提高源电极和漏电极与有源层之间的接触区域的含氢量，从而增强源电极和漏电极与有源层之间的接触特性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：栅电极；覆盖所述栅电极的栅电极绝缘层；位于所述栅电极绝缘层上的有源层、绝缘层、源电极和漏电极，所述有源层包括源极区、漏极区以及位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区；所述栅电极与所述有源层不接触，且向所述沟道区所在平面的正投影覆盖所述沟道区；所述绝缘层覆盖所述沟道区，所述源电极覆盖所述源极区和至少部分所述绝缘层，所述漏电极覆盖所述漏极区和至少部分所述绝缘层；其中，所述绝缘层中，向所述沟道区的正投影与所述沟道区重叠部分中的至少部分的含氢量小于与所述源电极和所述漏电极接触的部分的含氢量。
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