[实用新型]薄膜晶体管、显示面板和显示装置

说明书

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及薄膜晶体管、显示面板和显示装置。

背景技术

目前，现有显示面板中的氧化物薄膜晶体管通常在有源层与源电极和漏电极之间形成双层刻蚀阻挡层。如图1所示，氧化物薄膜晶体管由下至上依次包括基板10、栅电极11、栅电极绝缘层12、有源层13、刻蚀阻挡层14、源电极15和漏电极16。其中，刻蚀阻挡层包括下刻蚀阻挡层141和上刻蚀阻挡层142。为了降低刻蚀阻挡层的薄膜在沉积过程中对氧化物薄膜晶体管的特性产生影响(即在形成刻蚀阻挡层的氧化硅薄膜的过程中，减少分解产生的氢离子与有源层中的金属氧化物的反应发生，)，又保证其沉积速率，一般会使下刻蚀阻挡层141中的含氢量小于上刻蚀阻挡层142中的含氢量。

然而，在制作上述氧化物薄膜晶体管的过程中，往往只重点考虑了刻蚀阻挡层与有源层之间的接触区域的特性，而忽略了源电极和漏电极与有源层之间的接触区域的特性。

实用新型内容

鉴于现有技术中的上述缺陷，本申请实施例提供一种改善的薄膜晶体管、显示面板和显示装置，来解决以上背景技术部分提到的技术问题。

为了实现上述目的，第一方面，本申请实施例提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：栅电极；覆盖栅电极的栅电极绝缘层；位于栅电极绝缘层上的有源层、绝缘层、源电极和漏电极，有源层包括源极区、漏极区以及位于源极区和漏极区之间的沟道区；栅电极与有源层不接触，且向沟道区所在平面的正投影覆盖沟道区；绝缘层覆盖沟道区，源电极覆盖源极区和至少部分绝缘层，漏电极覆盖漏极区和至少部分绝缘层；其中，绝缘层中，向沟道区的正投影与沟道区重叠部分中的至少部分的含氢量小于与源电极和漏电极接触的部分的含氢量。

在一些实施例中，绝缘层包括第一刻蚀阻挡层，第一刻蚀阻挡层中未被源电极和漏电极覆盖的部分向沟道区的正投影与沟道区重叠；且第一刻蚀阻挡层中，未被源电极和漏电极覆盖的部分的含氢量小于被源电极和漏电极覆盖的部分的含氢量。

在一些实施例中，绝缘层至少包括第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层；第二刻蚀阻挡层位于沟道区和第一刻蚀阻挡层之间，且覆盖沟道区。

在一些实施例中，第一刻蚀阻挡层中，未被源电极和漏电极覆盖的部分的含氢量与被源电极和漏电极覆盖的部分的含氢量相同；第二刻蚀阻挡层中的含氢量小于第一刻蚀阻挡层中的含氢量。

在一些实施例中，第一刻蚀阻挡层覆盖第二刻蚀阻挡层，且第二刻蚀阻挡层与源电极和漏电极不接触。

在一些实施例中，有源层的材料为氧化物半导体。

第二方面，本申请实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括上述薄膜晶体管。

第三方面，本申请实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括上述显示面板。

本申请实施例提供的薄膜晶体管、显示面板和显示装置，通过在有源层与源电极和漏电极之间设置绝缘层，以使绝缘层覆盖有源层中的沟道区。并且源电极覆盖有源层中的源极区和至少部分绝缘层，漏电极覆盖有源层中的漏极区和至少部分绝缘层。此外，绝缘层中向沟道区的正投影与沟道区重叠部分中的至少部分的含氢量小于绝缘层中与源电极和漏电极接触的部分的含氢量。这样，在保证薄膜晶体管的特性的同时，可适当提高源电极和漏电极与有源层之间的接触区域的含氢量，使源电极、漏电极与有源层之间形成良好的欧姆接触，从而增强源电极和漏电极与有源层之间的接触区域的特性。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1是的现有技术中的薄膜晶体管的结构示意图；

图2是本申请提供的薄膜晶体管的一个实施例的结构示意图；

图3是对本申请提供的薄膜晶体管退火处理后的实验数据图；

图4是本申请提供的薄膜晶体管的又一个实施例的结构示意图；

图5是本申请提供的显示面板的一个实施例的结构示意图；

图6是本申请提供的显示装置的一个实施例的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本申请的原理和特征作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关实用新型，而非对该实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与实用新型相关的部分。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。