[实用新型]一种静电吸盘有效
| 申请号： | 201720378260.1 | 申请日： | 2017-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN206650063U | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 刘国家 | 申请（专利权）人： | 中山市思考电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京联创佳为专利事务所(普通合伙)11362 | 代理人： | 郭防 |
| 地址： | 528445 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种静电吸盘，包括密封的反应仓，反应仓的顶部一端设有进气口，反应仓的底部另一端设有排气口，进气口连通反应气体供应装置，排气口连通排气泵；反应仓内进气口的下方设有基盘、第一绝缘层、第二绝缘层和吸附电极，第一绝缘层位于基盘的上方，第二绝缘层位于第一绝缘层的上方，吸附电极位于第一绝缘层和第二绝缘层之间；吸附电极接有电压调节装置，电压调节装置安装在反应仓的侧壁外，第二绝缘层上放有基板。本实用新型能够二氧化硅层沉积在晶圆表面。可以限定了二氧化硅的流通路径，使二氧化硅更容易沉积在基板上，从而提高芯片的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电 吸盘 | ||
【主权项】：
一种静电吸盘，其特征在于，包括密封的反应仓(5)，反应仓(5)的顶部一端设有进气口(2)，反应仓(5)的底部另一端设有排气口(6)，进气口(2)连通反应气体供应装置(1)，排气口(6)连通排气泵(7)；反应仓(5)内进气口(2)的下方设有基盘(8)、第一绝缘层(13)、第二绝缘层(11)和吸附电极(12)，第一绝缘层(13)位于基盘(8)的上方，第二绝缘层(11)位于第一绝缘层(13)的上方，吸附电极(12)位于第一绝缘层(13)和第二绝缘层(11)之间；吸附电极(12)接有电压调节装置(14)，电压调节装置(14)安装在反应仓(5)的侧壁外，第二绝缘层(11)上放有基板(9)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
