[实用新型]一种静电吸盘

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种静电吸盘，属于半导体气相沉积设备耗材技术领域。

背景技术

在以与半导体制造工艺有关的离子注入装置、离子掺杂装置、等离子体浸没装置为代表的、使用了电子束、极紫外线(EUV)光刻等的曝光装置、硅晶片等的晶片检查装置等各种装置等中，为了吸附/保持半导体基板而使用了静电吸盘。另外，在液晶制造领域中，在对玻璃基板等进行液晶的压入时使用的基板层压装置、离子掺杂装置等中，为了吸附/保持绝缘基板而使用了静电吸盘。

目前我国进口的最大宗贸易物品是芯片，超2000多亿美元/年，在芯片制造流程中，IC 制程设备最为重要，而发达国家又对中国实行技术封锁。CVD的英文是Chemical Vapor Dep. 是IC晶圆生产过程中使用化学气相沉积方法使二氧化硅层沉积在晶圆表面的关键过程，而这一过程没有CVD静电吸盘是做不到的，因静电吸盘高容差及超强导热性能，可以使二氧化硅层不断成长，形成多次沉积。目前该产品完全依赖进口且价格昂贵。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种静电吸盘，采用本装置能够二氧化硅层沉积在晶圆表面。

为解决上述技术问题，本实用新型采用如下的技术方案：

一种静电吸盘，包括密封的反应仓，反应仓的顶部一端设有进气口，反应仓的底部另一端设有排气口，进气口连通反应气体供应装置，排气口连通排气泵；反应仓内进气口的下方设有基盘、第一绝缘层、第二绝缘层和吸附电极，第一绝缘层位于基盘的上方，第二绝缘层位于第一绝缘层的上方，吸附电极位于第一绝缘层和第二绝缘层之间；吸附电极接有电压调节装置，电压调节装置安装在反应仓的侧壁外，第二绝缘层上放有基板。

前述的一种静电吸盘中，排气口的上方设有导流体，导流体位于反应仓内的顶部，导流体上设有激励电极，激励电极接有高频电源，激励电极位于所述基板的上方。导流体用于限定流体的运动路径，使二氧化硅更容易沉积在基板上。

前述的一种静电吸盘中，所述第一绝缘层成圆形，第一绝缘层为氮化铝陶瓷板，氮化铝陶瓷板具有良好的导热性，能够防止设备温度过高，从而提高设备的工作稳定性。

为了进一步提供设备的散热效果，前述的一种静电吸盘中，所述基盘是硅铝合金腔体，基盘内填充有散热油。

与现有技术相比，本实用新型能够二氧化硅层沉积在晶圆表面。可以限定了二氧化硅的流通路径，使二氧化硅更容易沉积在基板上，从而提高芯片的生产效率。

附图说明

图1是本实用新型的一种实施例的结构示意图。

附图标记：1-反应气体供应装置，2-进气口，3-高频电源，4-导流体，5-反应仓，6-排气口，7-排气泵，8-基盘，9-基板，10-激励电极，11-第二绝缘层，12-吸附电极，13-第一绝缘层，14-电压调节装置。

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步的说明。

具体实施方式

本实用新型的实施例1：如图1所示，一种静电吸盘，包括密封的反应仓5，反应仓5的顶部一端设有进气口2，反应仓5的底部另一端设有排气口6，进气口2连通反应气体供应装置1，排气口6连通排气泵7；反应仓5内进气口2的下方设有基盘8、第一绝缘层13、第二绝缘层11和吸附电极12，第一绝缘层13位于基盘8的上方，第二绝缘层11位于第一绝缘层13的上方，吸附电极12位于第一绝缘层13和第二绝缘层11之间；吸附电极12接有电压调节装置14，电压调节装置14安装在反应仓5的侧壁外，第二绝缘层11上放有基板9。

排气口6的上方设有导流体4，导流体4位于反应仓5内的顶部，导流体4上设有激励电极10，激励电极10接有高频电源3，激励电极10位于所述基板9的上方。

实施例2：如图1所示，一种静电吸盘，包括密封的反应仓5，反应仓5的顶部一端设有进气口2，反应仓5的底部另一端设有排气口6，进气口2连通反应气体供应装置1，排气口 6连通排气泵7；反应仓5内进气口2的下方设有基盘8、第一绝缘层13、第二绝缘层11和吸附电极12，第一绝缘层13位于基盘8的上方，第二绝缘层11位于第一绝缘层13的上方，吸附电极12位于第一绝缘层13和第二绝缘层11之间；吸附电极12接有电压调节装置14，电压调节装置14安装在反应仓5的侧壁外，第二绝缘层11上放有基板9。