[实用新型]一种高导通效率的碳化硅二极管有效
| 申请号： | 201720353180.0 | 申请日： | 2017-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN207116440U | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高新技术*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种高导通效率的碳化硅二极管，属于半导体制造技术领域。其特征在于设置有碳化硅材质的衬底以及位于衬底上方的外延层，在外延层的表面并排设置有若干沟槽（3），在沟槽（3）内填充有半导体填充物，在两相邻的所述沟槽（3）之间设置有重掺杂型区，位于外延层的上端且与沟槽（3）上端平齐。本高导通效率的碳化硅二极管，将衬底、外延层、重掺杂区设计为相同材质的半导体，因此不存在常规二极管所存在的死区电压，当加载了正向电压之后，本碳化硅二极管立即导通，因此具有提高正向导通效率的优点，克服了传统的碳化硅二极管因开启电压高而开关效率较低且耗能高的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高导通 效率 碳化硅 二极管 | ||
【主权项】：
一种高导通效率的碳化硅二极管，其特征在于：设置有碳化硅材质的衬底以及位于衬底上方的外延层，在外延层的表面并排设置有若干沟槽（3），在沟槽（3）内填充有半导体填充物，在两相邻的所述沟槽（3）之间设置有重掺杂型区，重掺杂型区位于外延层的上端且与沟槽（3）上端平齐；衬底、外延层以及重掺杂区的半导体类型相同；所述的半导体填充物为填充在沟槽（3）内部的多晶硅以及设置在沟槽（3）内壁上的绝缘层；所述的绝缘层为氧化硅层。
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