[实用新型]一种高导通效率的碳化硅二极管有效
| 申请号： | 201720353180.0 | 申请日： | 2017-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN207116440U | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高新技术*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高导通 效率 碳化硅 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种高导通效率的碳化硅二极管，其特征在于：设置有碳化硅材质的衬底以及位于衬底上方的外延层，在外延层的表面并排设置有若干沟槽（3），在沟槽（3）内填充有半导体填充物，在两相邻的所述沟槽（3）之间设置有重掺杂型区，重掺杂型区位于外延层的上端且与沟槽（3）上端平齐；衬底、外延层以及重掺杂区的半导体类型相同；
所述的半导体填充物为填充在沟槽（3）内部的多晶硅以及设置在沟槽（3）内壁上的绝缘层；
所述的绝缘层为氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的高导通效率的碳化硅二极管，其特征在于：在所述的沟槽（3）以及重掺杂区的上方设置有用于引出阳极的顶层金属层（1）。
3.根据权利要求1所述的高导通效率的碳化硅二极管，其特征在于：在所述的衬底下方设置有用于引出阴极的底层金属层（7）。
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