[实用新型]功率半导体器件

摘要

本实用新型涉及一种功率半导体器件，包括第一导电类型的衬底、衬底上的第二导电类型的阱区、阱区内的第一导电类型的源区、阱区上方的栅极、以及阱区上与阱区和源区连接的源极金属；阱区包括表面的第一结构和表面的第二结构，第一结构由多个朝第一方向延伸、沿第二方向排列的图案组成，第二结构沿第二方向延伸从而连接各图案，第一方向为栅极之间的间距方向，第二方向垂直于第一方向；第二结构与源极金属直接接触。本实用新型能大幅地增大器件的雪崩耐量。

主权项

一种功率半导体器件，所述功率半导体器件的元胞结构包括第一导电类型的衬底、所述衬底上的第二导电类型的阱区、所述阱区内的第一导电类型的源区、所述阱区上方的栅极、以及所述阱区上与所述阱区和源区连接的源极金属，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；其特征在于，所述阱区包括表面的第一结构和表面的第二结构，所述第一结构由多个朝第一方向延伸、沿第二方向排列的图案组成，所述第二结构沿所述第二方向延伸从而连接各所述图案，所述第一方向为所述栅极之间的间距方向，所述第二方向垂直于所述第一方向；所述第二结构与所述源极金属直接接触。